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公开(公告)号：CN105529238A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610018038.0
申请日：2009-04-09
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/452 , C23C16/455 , C23C16/509
CPC分类号： C23C16/5096 , C23C16/4405 , C23C16/45561 , H01J37/32091 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , C23C16/452 , C23C16/45565 , C23C16/45572
摘要： 本发明大致包括等离子体增强化学汽相沉积处理腔室，其具有在与气源分隔位置处耦接至背板的RF功率源。通过在与RF功率分隔位置处供给气体进入处理腔室，可减少通到处理腔室的气体管中形成寄生等离子体。可在复数个位置供给气体至腔室。各个位置上，气源经过远端等离子体源以及RF扼流器或RF电阻器而供给气体至处理腔室。
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公开(公告)号：CN101622375B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN200880006171.8
申请日：2008-02-27
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： H01J37/32449 , C23C16/44 , C23C16/5096 , H01J37/3244 , H01J37/32495 , H01J37/32623 , H01J2237/3321 , H01J2237/3325
摘要： 本发明一般包括一种用于等离子体增强化学气相沉积设备中的背板强化设备。当处理大面积基板时，延伸横跨腔室的背板也相当大。藉由框架结构来支撑背板的中央部分，则可维持背板为实质平坦。可选择地，可视需要而调整背板的轮廓以符合处理的特定需求。
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公开(公告)号：CN101647090B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200880009630.8
申请日：2008-02-29
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32623 , H01J37/32651 , H01J2237/0206
摘要： 本发明一般包括用于等离子体工艺设备的RF遮板组件。RF遮板组件可降低工艺期间蔓延至(creep)基板及遮蔽框下方的等离子体的量，因而减少发生在不期望的表面上的沉积量。通过减少在不期望的表面上的沉积量，粒子剥落现象降低，因此可减少基板的污染情形。
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公开(公告)号：CN102365906A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201080014186.6
申请日：2010-02-13
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H05H1/36 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32174 , H01J37/32091
摘要： 为了将RF功率从等离子体腔室的RF输入(40)耦合至等离子体腔室的内部(11)，将RF总线导体(43、44)连接在所述RF输入与等离子体腔室电极(20至26)之间。在一实施例中，RF回流总线导体(53、54)连接至所述腔室的电接地壁(14至18)，且所述RF总线导体与所述RF回流总线导体具有各自的表面，所述各自的表面平行且面对彼此。在另一实施例中，所述RF总线导体具有横剖面，所述横截面具有定向为垂直于所述等离子体腔室电极的表面的最长尺度，所述表面是所述等离子体腔室电极的最接近所述RF总线导体的表面。
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公开(公告)号：CN105529238B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201610018038.0
申请日：2009-04-09
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/452 , C23C16/455 , C23C16/509
摘要： 本发明大致包括等离子体增强化学汽相沉积处理腔室，其具有在与气源分隔位置处耦接至背板的RF功率源。通过在与RF功率分隔位置处供给气体进入处理腔室，可减少通到处理腔室的气体管中形成寄生等离子体。可在复数个位置供给气体至腔室。各个位置上，气源经过远端等离子体源以及RF扼流器或RF电阻器而供给气体至处理腔室。
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公开(公告)号：CN102365906B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201080014186.6
申请日：2010-02-13
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H05H1/36 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32174 , H01J37/32091
摘要： 为了将RF功率从等离子体腔室的RF输入(40)耦合至等离子体腔室的内部(11)，将RF总线导体(43、44)连接在所述RF输入与等离子体腔室电极(20至26)之间。在一实施例中，RF回流总线导体(53、54)连接至所述腔室的电接地壁(14至18)，且所述RF总线导体与所述RF回流总线导体具有各自的表面，所述各自的表面平行且面对彼此。在另一实施例中，所述RF总线导体具有横剖面，所述横截面具有定向为垂直于所述等离子体腔室电极的表面的最长尺度，所述表面是所述等离子体腔室电极的最接近所述RF总线导体的表面。
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公开(公告)号：CN101836510B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200880113201.5
申请日：2008-10-07
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H05H1/34
CPC分类号： H01J37/32357 , C23C16/4404 , H01J37/32449 , H01J37/32623 , H01J37/32834
摘要： 本发明一般包括一腔室衬垫，所述腔室衬垫与腔室壁分隔开，以允许在抽吸工艺腔室中的气体时，可以在腔室衬垫及腔室壁之间抽吸工艺气体。当真空泵位于承座下方，工艺气体则会抽吸至承座下方，并可能导致工艺腔室部件出现不期望的沉积现象。另外，工艺气体会被抽吸通过狭缝阀开口，因而可能会沉积在狭缝阀开口中。当物质沉积在狭缝阀开口中，可能会发生剥落现象并污染基板。通过沿着侧壁(非具有狭缝阀开口的侧壁)而抽吸工艺气体，则可减少在狭缝阀开口上的不期望的沉积现象。
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