公开(公告)号：CN108352303A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680066727.7

申请日：2016-10-28

申请人： 应用材料公司

发明人： 王非 ,  米哈伊尔·科里奥克 ,  妮琴·K·英吉 ,  王安川 ,  罗伯特·简·维瑟

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/768 ,  G03F1/80 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31144

摘要： 本文描述蚀刻氮化硅比蚀刻硅或氧化硅快的方法。亦描述将额外材料选择性沉积至氮化硅上的方法。氮化硅与氧化硅的暴露部分可皆存在于图案化基板上。自组装单层(SAM)选择性地沉积覆于氧化硅上但不在暴露的氮化硅上。自组装单层的分子包括头部基团与尾部基团，该头部基团在该暴露的氧化硅部分上以OH基形成键合，而该尾部基团延伸远离该图案化基板。之后可使用后续对蚀刻剂或沉积前驱物的暴露，以选择性移除氮化硅或于氮化硅上选择性沉积额外材料。