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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102907180B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201180019903.9
申请日：2011-06-03
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 哈密迪·塔瓦索里 , 逍平·周 , 沙恩·C·尼维尔 , 道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 费纳多·M·斯李维亚 , 巴德·L·梅斯 , 蒂娜·琼 , 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 , 亚莎斯维尼·B·帕特 , 达·D·源 , 沃特·R·梅丽
CPC classification number: H01J37/20 , H01J37/32724 , H01J37/32908 , H01J37/32926 , H01J37/32935 , H01J2237/2001 , H05H1/34
Abstract: 本发明描述通过脉冲式施加加热功率和脉冲式施加冷却功率来控制等离子体处理腔室中的温度的方法和系统。在实施例中，温度控制至少部分地基于前馈控制信号，前馈控制信号源自输入到处理腔室中的等离子体功率。在另一实施例中，部分地通过耦接两个储器的被动平衡管，来维持热储器与冷储器各自的液位，两个储器耦接至温度受控部件。在另一实施例中，随着取决于加热/冷却工作循环值和比例循环的脉冲宽度，打开数字式传热流体流量控制阀，比例循环具有提供良好温度控制性能的持续时间。
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公开(公告)号：CN102742365A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201080062730.4
申请日：2010-12-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 , 沃特·R·梅丽 , 瑟乔伊·弗库达·秀吉 , 张春雷 , 亚莎斯维尼·帕特 , 达·D·源 , 蒂娜·琼 , 沙恩·C·尼维尔 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 费纳多·M·斯李维亚 , 巴德·L·梅斯 , 卡尔蒂克·拉马斯瓦米 , 汉密第·诺巴卡施
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32009 , G05B6/02 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J37/32935 , H01J2237/334 , H05H1/0081
Abstract: 用于利用减小的控制器响应时间和增加的稳定性来控制等离子体处理室中的温度的方法和设备。温度控制至少部分地基于从进入等离子体处理室的等离子体功率输入得到的前馈控制信号。对于归因于等离子体功率的温度干扰进行补偿的前馈控制信号可以与消除所测量的温度与期望温度之间的误差的反馈控制信号结合。
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公开(公告)号：CN102742365B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201080062730.4
申请日：2010-12-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 , 沃特·R·梅丽 , 瑟乔伊·弗库达·秀吉 , 张春雷 , 亚莎斯维尼·帕特 , 达·D·源 , 蒂娜·琼 , 沙恩·C·尼维尔 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 费纳多·M·斯李维亚 , 巴德·L·梅斯 , 卡尔蒂克·拉马斯瓦米 , 汉密第·诺巴卡施
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32009 , G05B6/02 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J37/32935 , H01J2237/334 , H05H1/0081
Abstract: 用于利用减小的控制器响应时间和增加的稳定性来控制等离子体处理室中的温度的方法和设备。温度控制至少部分地基于从进入等离子体处理室的等离子体功率输入得到的前馈控制信号。对于归因于等离子体功率的温度干扰进行补偿的前馈控制信号可以与消除所测量的温度与期望温度之间的误差的反馈控制信号结合。
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公开(公告)号：CN102907180A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180019903.9
申请日：2011-06-03
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 哈密迪·塔瓦索里 , 逍平·周 , 沙恩·C·尼维尔 , 道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 费纳多·M·斯李维亚 , 巴德·L·梅斯 , 蒂娜·琼 , 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 , 亚莎斯维尼·B·帕特 , 达·D·源 , 沃特·R·梅丽
CPC classification number: H01J37/20 , H01J37/32724 , H01J37/32908 , H01J37/32926 , H01J37/32935 , H01J2237/2001 , H05H1/34
Abstract: 本发明描述通过脉冲式施加加热功率和脉冲式施加冷却功率来控制等离子体处理腔室中的温度的方法和系统。在实施例中，温度控制至少部分地基于前馈控制信号，前馈控制信号源自输入到处理腔室中的等离子体功率。在另一实施例中，部分地通过耦接两个储器的被动平衡管，来维持热储器与冷储器各自的液位，两个储器耦接至温度受控部件。在另一实施例中，随着取决于加热/冷却工作循环值和比例循环的脉冲宽度，打开数字式传热流体流量控制阀，比例循环具有提供良好温度控制性能的持续时间。
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公开(公告)号：CN101897007A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200880120530.2
申请日：2008-11-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 伊玛德·尤瑟夫 , 安克·舍内尔 , 阿吉特·巴拉克利斯纳 , 南希·凡格 , 英·瑞 , 马丁·杰弗瑞·萨利纳斯 , 沃特·R·梅丽 , 沙希德·劳夫
IPC: H01L21/302 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01L21/02087 , H01L21/0209
Abstract: 使用穿过反应器侧壁且具有与晶片边缘相匹配之曲率的拱形侧边气体注入喷嘴，并且为喷嘴提供来自远程等离子体源的等离子体副产物，以从固持于反应器内支撑底座上的晶片之背面移除掉聚合物。
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