公开(公告)号：CN106716599A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201580048959.5

申请日：2015-08-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 怡利·Y·叶 ,  卢多维克·戈代 ,  薛君 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  李冬青 ,  埃莉卡·陈

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31155 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

Abstract: 将物种供应到在基板上的可流动层。通过将所述物种注入到所述可流动层来修改所述可流动层的性质。所述性质包含密度、应力、薄膜收缩率、蚀刻选择性或上述的任意组合。

公开(公告)号：CN100530554C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200480015296.9

申请日：2004-06-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 茨欧·J·卡勒姆 ,  比可姆·卡泊尔 ,  王安川 ,  李冬青 ,  小关胜成 ,  曼杰·维莱卡尔 ,  李庄

IPC: H01L21/30 ,  C23C14/32 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01L21/31612 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76837

Abstract: 提供了一种利用HDP-CVD沉积、刻蚀和沉积步骤的循环进行的间隙填充处理。第一沉积步骤期间的流动气体包括诸如He之类的惰性气体，剩余部分沉积步骤期间的流动气体包括H2。第一沉积步骤期间流动气体的较高平均分子量在限定间隙的结构上提供了某些尖头，以在刻蚀步骤期间保护这些结构。剩余部分沉积步骤期间流动气体的较低平均分子量减少了溅射特性，并且可以有效地填充间隙的剩余部分。

公开(公告)号：CN101044598A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200480015296.9

申请日：2004-06-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 茨欧·J·卡勒姆 ,  比可姆·卡泊尔 ,  王安川 ,  李冬青 ,  小关胜成 ,  曼杰·维莱卡尔 ,  李庄

IPC: H01L21/30 ,  C23C14/32 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01L21/31612 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76837

Abstract: 提供了一种利用HDP－CVD沉积、刻蚀和沉积步骤的循环进行的间隙填充处理。第一沉积步骤期间的流动气体包括诸如He之类的惰性气体，剩余部分沉积步骤期间的流动气体包括H2。第一沉积步骤期间流动气体的较高平均分子量在限定间隙的结构上提供了某些尖头，以在刻蚀步骤期间保护这些结构。剩余部分沉积步骤期间流动气体的较低平均分子量减少了溅射特性，并且可以有效地填充间隙的剩余部分。