-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102763198A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201080042932.2
申请日：2010-09-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , C23C16/45508 , C23C16/45563 , C23C16/45574 , C23C16/45587 , C23C16/45591 , C23C16/505 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/3222 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32458 , H01L21/30655 , H01L21/67069
Abstract: 本发明的实施例涉及用于以改良的等离子体离解效率将处理气体提供至处理腔室的方法和设备。本发明的一个实施例提供挡板喷嘴组件，该挡板喷嘴组件包括外部主体，外部主体限定连接至处理腔室的延伸容积。处理气体经过延伸容积流至处理腔室，延伸容积暴露至用于等离子体产生的功率源。
-
公开(公告)号：CN101978479A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980110364.2
申请日：2009-03-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 夏尔马·V·帕马斯 , 乔恩·C·法 , 科哈伊德·西拉朱迪茵 , 伊兹拉·R·高德 , 詹姆斯·P·克鲁斯 , 斯科特·奥尔斯则维斯基 , 罗伊·C·南古伊 , 萨拉弗野特·辛加 , 道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 札瑞德·A·李 , 张春雷
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/30655 , Y10T137/0318 , Y10T137/87169
Abstract: 本发明的实施例涉及一种基材蚀刻系统与制程。在一个实施例中，方法可以包括：在沉积制程期间沉积材料于该基材上；在第一蚀刻制程期间蚀刻该基材的第一层；以及在第二蚀刻制程期间蚀刻该基材的第二层，其中在该第一蚀刻制程期间施加第一偏压功率到该基材，以及其中在该第二蚀刻制程期间施加第二偏压功率到该基材。在另一实施例中，系统可以包括气体输送系统，该气体输送系统包含：第一气体盘，其用于供应第一气体到腔室；第二气体盘，其用于供应第二气体到该腔室；以及多个流量控制器，其用于引导这些气体到该腔室，以促进进出该腔室和这些气体盘的这些气体之间的快速气体过渡。
-
公开(公告)号：CN102446739A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110402772.4
申请日：2009-03-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 夏尔马·V·帕马斯 , 乔恩·C·法 , 科哈伊德·西拉朱迪茵 , 伊兹拉·R·高德 , 詹姆斯·P·克鲁斯 , 斯科特·奥尔斯则维斯基 , 罗伊·C·南古伊 , 萨拉弗野特·辛加 , 道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 札瑞德·A·李 , 张春雷
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/30655 , Y10T137/0318 , Y10T137/87169
Abstract: 本发明的实施例涉及一种基材蚀刻系统与制程的方法及设备。在一个实施例中，方法可以包括：在沉积制程期间沉积材料于该基材上；在第一蚀刻制程期间蚀刻该基材的第一层；以及在第二蚀刻制程期间蚀刻该基材的第二层，其中在该第一蚀刻制程期间施加第一偏压功率到该基材，以及其中在该第二蚀刻制程期间施加第二偏压功率到该基材。在另一实施例中，系统可以包括气体输送系统，该气体输送系统包含：第一气体盘，其用于供应第一气体到腔室；第二气体盘，其用于供应第二气体到该腔室；以及多个流量控制器，其用于引导这些气体到该腔室，以促进进出该腔室和这些气体盘的这些气体之间的快速气体过渡。
-
公开(公告)号：CN102446739B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110402772.4
申请日：2009-03-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 夏尔马·V·帕马斯 , 乔恩·C·法 , 科哈伊德·西拉朱迪茵 , 伊兹拉·R·高德 , 詹姆斯·P·克鲁斯 , 斯科特·奥尔斯则维斯基 , 罗伊·C·南古伊 , 萨拉弗野特·辛加 , 道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 札瑞德·A·李 , 张春雷
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/30655 , Y10T137/0318 , Y10T137/87169
Abstract: 本发明的实施例涉及一种基材蚀刻系统与制程的方法及设备。在一个实施例中，方法可以包括：在沉积制程期间沉积材料于该基材上；在第一蚀刻制程期间蚀刻该基材的第一层；以及在第二蚀刻制程期间蚀刻该基材的第二层，其中在该第一蚀刻制程期间施加第一偏压功率到该基材，以及其中在该第二蚀刻制程期间施加第二偏压功率到该基材。在另一实施例中，系统可以包括气体输送系统，该气体输送系统包含：第一气体盘，其用于供应第一气体到腔室；第二气体盘，其用于供应第二气体到该腔室；以及多个流量控制器，其用于引导这些气体到该腔室，以促进进出该腔室和这些气体盘的这些气体之间的快速气体过渡。
-
公开(公告)号：CN102763198B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201080042932.2
申请日：2010-09-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , C23C16/45508 , C23C16/45563 , C23C16/45574 , C23C16/45587 , C23C16/45591 , C23C16/505 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/3222 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32458 , H01L21/30655 , H01L21/67069
Abstract: 本发明的实施例涉及用于以改良的等离子体离解效率将处理气体提供至处理腔室的方法和设备。本发明的一个实施例提供挡板喷嘴组件，该挡板喷嘴组件包括外部主体，外部主体限定连接至处理腔室的延伸容积。处理气体经过延伸容积流至处理腔室，延伸容积暴露至用于等离子体产生的功率源。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.026 seconds)
