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公开(公告)号：CN107710386A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680032137.2
申请日：2016-05-16
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/3105 , H01L29/51 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/28176 , H01J37/321 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32477 , H01L21/3105 , H01L29/517
摘要： 本文描述的实施方式大体涉及用于等离子体处理工艺腔室的方法和设备。基板可放置在工艺腔室中，所述基板具有形成于其上的栅极堆叠，且含氢等离子体可用于处理栅极堆叠，以消除栅极堆叠中的缺陷。由于含氢等离子体处理，栅极堆叠具有较低的泄漏和改良的可靠度。为了保护工艺腔室免受含氢等离子体产生的Hx+离子和H*自由基的影响，可在没有基板置放于工艺腔室中的情况下且在含氢等离子体处理之前，用等离子体处理工艺腔室。此外，由介电材料制成的工艺腔室的部件可用陶瓷涂层涂覆，所述陶瓷涂层包括含钇氧化物，以保护这些部件免受等离子体的影响。
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公开(公告)号：CN107710386B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201680032137.2
申请日：2016-05-16
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/3105 , H01L29/51 , H01J37/32
摘要： 本文描述的实施方式大体涉及用于等离子体处理工艺腔室的方法和设备。基板可放置在工艺腔室中，所述基板具有形成于其上的栅极堆叠，且含氢等离子体可用于处理栅极堆叠，以消除栅极堆叠中的缺陷。由于含氢等离子体处理，栅极堆叠具有较低的泄漏和改良的可靠度。为了保护工艺腔室免受含氢等离子体产生的Hx+离子和H*自由基的影响，可在没有基板置放于工艺腔室中的情况下且在含氢等离子体处理之前，用等离子体处理工艺腔室。此外，由介电材料制成的工艺腔室的部件可用陶瓷涂层涂覆，所述陶瓷涂层包括含钇氧化物，以保护这些部件免受等离子体的影响。
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公开(公告)号：CN113396470A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201980088031.8
申请日：2019-10-18
申请人： 应用材料公司
发明人： 厚达·格兰欧 , 约翰内斯·F·斯温伯格 , 刘炜 , 史蒂文·C.H·洪
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/285 , H01L29/45 , H01L21/324 , H01L29/40 , H01L21/321 , H01L21/02
摘要： 本文描述的实施方式大体涉及能够形成具有与经由传统方法形成的类似结构相比减小的有效氧化物厚度的金属栅极结构。等离子体氢化工艺及随后的等离子体氮化工艺、或单步等离子体氢化和氮化工艺在膜堆叠中的金属氮化物层上执行，由此根据一些实施方式，去除设置在膜堆叠的层内的氧原子，并且在一些实施方式中，将氮原子添加到膜堆叠的层。因此，金属栅极结构的有效氧化物厚度减小，而有极少或没有伴随的平带电压偏移。
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