公开(公告)号：CN109478491A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780044368.X

申请日：2017-07-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 甘加达尔·希拉瓦特 ,  卡里阿帕·阿沙阿帕·巴杜维曼达 ,  波柏纳·伊谢提拉·瓦珊塔

IPC: H01J37/32 ,  C23C14/56 ,  C23C14/34

Abstract: 本文公开了一种在等离子体处理系统中使用的处理配件环。处理配件环包括环状主体及一或多个中空内部腔体。环状主体由耐等离子体材料形成。环状主体具有大于200mm的外部直径。环状主体包括顶表面及底表面。顶表面配置成面向处理腔室的等离子体处理区域。底表面与顶表面相对。底表面实质上垂直于主体的中心线。底表面至少部分地由基座组件支撑。一或多个中空内部腔体形成于环状主体中且围绕中心线。一或多个中空内部腔体在环状主体之中排列成圆形。

公开(公告)号：CN105074885A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480013023.4

申请日：2014-02-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 甘加达尔·希拉瓦特 ,  卡里阿帕·阿沙阿帕·巴杜维曼达

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67115

Abstract: 本文所述的实施方式涉及用于基板处理腔室的基板加热器的设备和方法。在一个实施方式中，一种用于基板处理腔室的基板支撑件包括：主体，所述主体具有顶板，所述顶板具有基板接收表面；和可移动的加热器，所述加热器设置于主体中，所述加热器相对于顶板是可移动的。

公开(公告)号：CN109478491B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201780044368.X

申请日：2017-07-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 甘加达尔·希拉瓦特 ,  卡里阿帕·阿沙阿帕·巴杜维曼达 ,  波柏纳·伊谢提拉·瓦珊塔

IPC: H01J37/32 ,  C23C14/56 ,  C23C14/34

Abstract: 本文公开了一种在等离子体处理系统中使用的处理配件环。处理配件环包括环状主体及一或多个中空内部腔体。环状主体由耐等离子体材料形成。环状主体具有大于200mm的外部直径。环状主体包括顶表面及底表面。顶表面配置成面向处理腔室的等离子体处理区域。底表面与顶表面相对。底表面实质上垂直于主体的中心线。底表面至少部分地由基座组件支撑。一或多个中空内部腔体形成于环状主体中且围绕中心线。一或多个中空内部腔体在环状主体之中排列成圆形。

公开(公告)号：CN105074885B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201480013023.4

申请日：2014-02-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 甘加达尔·希拉瓦特 ,  卡里阿帕·阿沙阿帕·巴杜维曼达

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67115

Abstract: 本文所述的实施方式涉及用于基板处理腔室的基板加热器的设备和方法。在一个实施方式中，一种用于基板处理腔室的基板支撑件包括：主体，所述主体具有顶板，所述顶板具有基板接收表面；和可移动的加热器，所述加热器设置于主体中，所述加热器相对于顶板是可移动的。

公开(公告)号：CN210156345U

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201790001227.5

申请日：2017-07-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 甘加达尔·希拉瓦特 ,  卡里阿帕·阿沙阿帕·巴杜维曼达 ,  考希克·维迪亚 ,  波柏纳·伊谢提拉·瓦珊塔

IPC: H01J37/32

Abstract: 于此公开用于处理腔室的腔室部件、用于处理腔室的屏蔽的设计膜以及处理腔室。在一个实施方式中，用于处理腔室的腔室部件具有基底部件主体。所述基底部件主体具有外部表面，所述外部表面经配置以面对所述处理腔室的处理环境。纹理化表层顺应于所述外部表面。纹理化表层具有第一侧及第二侧，所述第一侧经配置以设置抵靠所述外部表面，所述第二侧背对所述第一侧。所述第二侧具有多个设计特征，所述设计特征经配置以在所述处理腔室的使用期间增强所述纹理化表层上所沉积材料的附着性。