公开(公告)号：CN118946971A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202380029643.6

申请日：2023-04-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 安德鲁·安东尼·科克本 ,  凡妮莎·佩娜 ,  丹尼尔·菲利普·塞利尔 ,  约翰·托尔 ,  托马斯·基申海特尔 ,  洪炜 ,  怡利·Y·叶 ,  梅裕尔·奈克 ,  塞沙德里·拉马斯瓦米

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/775 ,  H01L29/423 ,  H01L29/167 ,  H01L29/786 ,  H01L27/092

Abstract: 本公开内容的实施方式有利地提供半导体器件CFET，特别是以及制造具有完全应变的超晶格结构的此类器件的方法，该完全应变的超晶格结构具有实质无缺陷的沟道层以及具有具降低的选择性去除速率的释放层。本文所述的CFET包括垂直堆叠的超晶格结构，该垂直堆叠的超晶格结构在基板上，该垂直堆叠的超晶格结构包含：第一hGAA结构，该第一hGAA结构在基板上；牺牲层，该牺牲层在该第一hGAA结构的顶表面上，该牺牲层包含具有按原子计在大于0％至50％范围内的锗含量的硅锗(SiGe)；及第二hGAA结构，该第二hGAA结构在该牺牲层的顶表面上。第一hGAA和第二hGAA中的各者包括包含硅(Si)的纳米片沟道层以及包含掺杂的硅锗(SiGe)的纳米片释放层的交替层。