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公开(公告)号：CN116322288A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310156166.1
申请日：2023-02-22
Applicant: 广州大学
Abstract: 本发明属于基于PUF的安全技术领域，公开了一种高性能硅基忆阻器PUF，其包括重掺杂P型含硅衬底，所述重掺杂P型含硅衬底的表面具有自氧化形成的天然氧化硅层，所述天然氧化硅层的表面设置有Ag金属层。本发明还公开了该高性能硅基忆阻器的制备方法和生成方法。本发明以重掺P++‑Si衬底上经自然氧化的SiOx为阻变层，同时采用活性金属电极Ag作为器件的顶电极，本发明利用工艺简单、成本低廉的方法制备native‑SiOx忆阻器，利用超薄的native‑SiOx忆阻器RESET后忆阻器中残余Ag团簇不同导致的器件HRS高的随机差异性作为PUF的熵源，有利于PUF的实际应用。
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