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发明公开
一种光栅耦合器及其制备方法与应用审中-实审

公开(公告)号：CN119596454A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411924380.8

申请日：2024-12-25

Applicant: 广州光电存算芯片融合创新中心

Inventor： 陈鸿佳 , 林树青 , 张彦峰 , 李家青 , 余思远

IPC: G02B6/124 , G02B6/13 , G02B6/12

Abstract: 本发明提供了一种光栅耦合器及其制备方法与应用，涉及集成光子学领域。本发明光栅耦合器结构由下至上包括衬底层、氧化硅下包层、氮化硅波导层、氧化硅缓冲层、非晶硅层以及氧化硅上包层；其中，非晶硅层由下至上包括非晶硅波导和非晶硅光栅，非晶硅光栅与非晶硅波导相连；非晶硅波导和氮化硅波导层均包含线性渐变波导，二者构成双拉锥结构，该双拉锥结构采用垂直耦合方式将光从氮化硅波导层中耦合进非晶硅波导中，并利用非晶硅与二氧化硅的较大折射率差实现更高的光栅衍射效率，从而提高耦合效率。

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