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    一种低表面浓度可组装p‑n结晶体硅太阳能电池的制备方法
    1.
    发明公开
    一种低表面浓度可组装p‑n结晶体硅太阳能电池的制备方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN106057982A

    公开(公告)日：2016-10-26

    申请号：CN201610644640.5

    申请日：2016-08-08

    申请人： 广东爱康太阳能科技有限公司

    发明人： 石强 ,  秦崇德 ,  方结彬 ,  黄玉平 ,  何达能 ,  陈刚

    IPC分类号： H01L31/18

    CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/1804

    摘要： 本发明公开了一种低表面浓度可组装p‑n结晶体硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：1)在P型硅上表面进行制绒；2)在制绒完毕的P型硅表面制备若干层N型纳米硅薄膜，并依次层叠覆盖在P型硅表面；3)对覆盖有若干层N型纳米硅薄膜的P型硅进行退火处理；4)制备减反膜；5)在P型硅下表面制备背电极、背电场；6)在N型纳米硅薄膜上表面制作正电极。与现有技术相比本发明的方法，p‑n结采用在P型硅上覆盖多层N型纳米硅薄膜的方法制备，p‑n结的结深通过N型纳米硅薄膜的层数来控制，且N型纳米硅薄膜的表面浓度低且可控，这样制备的p‑n具有表面浓度低、结深可控，可以大大提高p‑n结的质量，提高电池的转换效率。

    一种抗电势诱导衰减太阳能电池的生产设备
    3.
    发明公开
    一种抗电势诱导衰减太阳能电池的生产设备 有权 转让

    公开(公告)号：CN105244410A

    公开(公告)日：2016-01-13

    申请号：CN201510224222.6

    申请日：2015-05-05

    申请人： 广东爱康太阳能科技有限公司

    发明人： 石强 ,  秦崇德 ,  方结彬 ,  黄玉平 ,  何达能

    IPC分类号： H01L31/18

    CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明公开了一种抗电势诱导衰减太阳能电池的生产设备，包括依次排列连接的上料区、刻蚀槽、第一水槽、碱槽、第二水槽、HF酸槽、第三水槽、烘干槽和下料区；在所述烘干槽与下料区之间设有臭氧机，所述臭氧机包括水蒸气清洗箱、干燥箱、臭氧氧化箱、退火箱、输送带和排气管，所述水蒸气清洗箱、干燥箱、臭氧氧化箱和退火箱依次排列连接且连接有排气管，输送带设置在所述臭氧机下方。本发明不但提高了抗PID电池的良品率，还提升了电池的抗PID性能，此外，致密的二氧化硅层优异的钝化作用还能提高电池的转换效率。

    一种选择性制绒晶硅太阳能电池及其制备方法
    5.
    发明公开
    一种选择性制绒晶硅太阳能电池及其制备方法 无效

    公开(公告)号：CN105097963A

    公开(公告)日：2015-11-25

    申请号：CN201510423095.2

    申请日：2015-07-18

    申请人： 广东爱康太阳能科技有限公司

    发明人： 方结彬 ,  秦崇德 ,  石强 ,  黄玉平 ,  何达能 ,  陈刚

    IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/18

    CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/1804

    摘要： 本发明公开了一种选择性制绒晶硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：1)对硅片进行清洗；2)硅片的正面形成二氧化硅层；3)在所述二氧化硅层上印刷腐蚀浆料；4)除去腐蚀浆料印刷区域的二氧化硅层；5)硅片上进行酸法制绒，使正电极栅线对应的区域的表面为平整的表面，其它区域形成绒面结构；6)硅片正面进行高方阻磷扩散，使正电极栅线对应的区域的表面具有均匀的高方阻磷掺杂浓度；7)去除磷扩散形成的正面磷硅玻璃和周边PN结；8)在硅片正面形成减反膜；9)硅片背面印刷背电极和铝背场；10)在硅片正面印刷正电极浆料形成正电极；11)对硅片进行烧结形成太阳能电池。本发明有益效果是有效地提高电池的光电转换效率。

    一种背面抛光晶硅太阳能电池及其制备工艺
    7.
    发明公开
    一种背面抛光晶硅太阳能电池及其制备工艺 有权 转让

    公开(公告)号：CN104362209A

    公开(公告)日：2015-02-18

    申请号：CN201410595054.7

    申请日：2014-10-30

    申请人： 广东爱康太阳能科技有限公司

    发明人： 秦崇德 ,  方结彬 ,  石强 ,  黄玉平 ,  何达能

    IPC分类号： H01L31/056

    CPC分类号： Y02E10/52

    摘要： 本发明公开了一种背面抛光晶硅太阳能电池，包括：背面电极、背面铝电场、背面抛光层、P型硅片、N型发射极、钝化膜和正面电极，所述背面电极、所述背面铝电场、所述背面抛光层、所述P型硅片、所述N型发射极、所述钝化膜和所述正面电极从下至上依次连接；所述背面抛光层为所述P型硅片的背面经过背面抛光处理生成的膜层，所述背面抛光层的背面为金字塔微结构阵列，所述金字塔微结构阵列为等距排列的若干个金字塔，所述金字塔的纵截面为倒三角形。本发明还公开了一种背面抛光晶硅太阳能电池的制备方法。采用本发明，可加强对透射光的反射，提升钝化效果，增加电流密度以及开路电压，进而提高了电池转换效率。

    一种抗电势诱导衰减的太阳能电池及其制备方法
    8.
    发明授权
    一种抗电势诱导衰减的太阳能电池及其制备方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN104362188B

    公开(公告)日：2018-02-06

    申请号：CN201410595682.5

    申请日：2014-10-30

    申请人： 广东爱康太阳能科技有限公司

    发明人： 石强 ,  秦崇德 ,  方结彬 ,  黄玉平 ,  何达能

    IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

    CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    摘要： 本发明公开了一种抗电势诱导衰减的太阳能电池，包括背面电极、背面电场、P型硅、N型发射极、第一氧化硅层、氮化硅层、第二氧化硅层和正面电极，所述第一氧化硅层、氮化硅层、第二氧化硅层依次设于所述N型发射极之上；所述第一氧化硅层的折射率为2.6‑3.0；所述氮化硅层的折射率为2.0‑2.15，所述第二氧化硅层的折射率为1.4‑1.7。相应的，本发明还提供一种制备上述抗电势诱导衰减的太阳能电池的方法。采用本发明，其正面采用三层薄膜的叠加结构，电池的抗电势诱导性能优异，此外，这种叠层的折射率由小到大，光学匹配性好，有利于光的吸收，钝化效果好，能大幅的提升电池的光电转换效率。

    一种双面太阳能电池的制备方法
    10.
    发明授权
    一种双面太阳能电池的制备方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN104505440B

    公开(公告)日：2017-05-24

    申请号：CN201410671004.2

    申请日：2014-11-21

    申请人： 广东爱康太阳能科技有限公司

    发明人： 石强 ,  秦崇德 ,  方结彬 ,  黄玉平 ,  何达能

    IPC分类号： H01L31/20

    CPC分类号： Y02P70/521

    摘要： 本发明公开了一种双面太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：A．在P型硅片正面形成绒面；B．扩散形成PN结；C．去磷硅玻璃；D．在所述P型硅片正面形成减反膜；E．在所述P型硅片背面沉积第二本征非晶硅层；F．在所述第二本征非晶硅层上沉积N型非晶硅层；G．在所述N型非晶硅层上沉积第一本征非晶硅层；H．在所述第一本征非晶硅层上沉积P型非晶硅层；I．采用磁控溅射方法在所述P型非晶硅层上沉积TCO层；J．丝网印刷正面电极和背面电极；K．烧结，形成双面太阳能电池。采用本发明，可克服现有双面电池背面的弱光响应较差的技术问题，正背面都能实现载流子分离，能有效地提高电池光电转换效率，且成本低廉。