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公开(公告)号：CN113644035A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110904415.1
申请日：2021-08-06
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明涉及激光加工技术领域，更具体地，涉及一种半导体晶圆及其激光加工方法、系统，包括晶圆本体，所述晶圆本体包括基板层和设置于所述基板层上表面的low‑k层，所述low‑k层上排列有多个芯片，相邻的芯片之间具有预定的切割道，所述晶圆本体底部设置垫层，所述low‑k层上沿切割道的延伸方向设有隔离道，所述隔离道不与基板层相通；所述隔离道内沿其延伸方向设有分割道，所述分割道与low‑k层、基板层、垫层均相通。本发明能够有效避免切割过程中low‑k层产生裂纹、崩角或剥离的问题，防止芯粒性能受影响，提高半导体晶圆的加工质量与加工效率。
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公开(公告)号：CN115055846B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202210871043.1
申请日：2022-07-22
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明公开一种激光剥离晶锭实时监测系统及方法，先通过CCD成像系统进行定焦，然后设置好声发射传感器和激光器，以保证激光光斑对准晶锭样件需要加工的位置，之后设置多种不同的激光单脉冲能量分别对样品的多个不同区域进行激光面扫描加工，以使声发射传感器得到相应的特征参数图在计算机中进行显示，然后对加工完的样品进行裂片处理，得到多种能量对应的截面形貌，并对每一种能量的截面形貌进行分析裂纹情况，结合截面形貌的分析，得到截面形貌与特征参数图之间的关联，发现了声发射信号的分布特点可对激光剥离的加工过程进行实时监测和对内部加工进行预判。本发明解决了现有技术不具备系统性实时监测的难题。
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公开(公告)号：CN113644035B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202110904415.1
申请日：2021-08-06
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明涉及激光加工技术领域，更具体地，涉及一种半导体晶圆及其激光加工方法、系统，包括晶圆本体，所述晶圆本体包括基板层和设置于所述基板层上表面的low‑k层，所述low‑k层上排列有多个芯片，相邻的芯片之间具有预定的切割道，所述晶圆本体底部设置垫层，所述low‑k层上沿切割道的延伸方向设有隔离道，所述隔离道不与基板层相通；所述隔离道内沿其延伸方向设有分割道，所述分割道与low‑k层、基板层、垫层均相通。本发明能够有效避免切割过程中low‑k层产生裂纹、崩角或剥离的问题，防止芯粒性能受影响，提高半导体晶圆的加工质量与加工效率。
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公开(公告)号：CN115055846A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210871043.1
申请日：2022-07-22
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明公开一种激光剥离晶锭实时监测系统及方法，先通过CCD成像系统进行定焦，然后设置好声发射传感器和激光器，以保证激光光斑对准晶锭样件需要加工的位置，之后设置多种不同的激光单脉冲能量分别对样品的多个不同区域进行激光面扫描加工，以使声发射传感器得到相应的特征参数图在计算机中进行显示，然后对加工完的样品进行裂片处理，得到多种能量对应的截面形貌，并对每一种能量的截面形貌进行分析裂纹情况，结合截面形貌的分析，得到截面形貌与特征参数图之间的关联，发现了声发射信号的分布特点可对激光剥离的加工过程进行实时监测和对内部加工进行预判。本发明解决了现有技术不具备系统性实时监测的难题。
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