公开(公告)号：CN118545753A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410771113.5

申请日：2024-06-14

Applicant: 广东先导稀材股份有限公司

Inventor： 田晖 ,  邹高武 ,  康冶 ,  张佳

IPC: C01G17/00

Abstract: 本发明涉及半导体化合物材料领域，具体是一种硫化亚锗的制备方法。本发明提供的硫化亚锗的制备方法是一种一步硫化的合成方法。本发明先采用较低的温度使锗粉与液态硫直接化合生成硫化亚锗固体，再升温至硫化亚锗熔点以上，在熔融状态下，微量未反应的硫和锗进一步化合，得到单一物相硫化亚锗产品。这样的做法不仅克服了现有技术中硫化亚锗制备步骤繁琐的问题，而且克服了现有技术中直接将两者加热至液态进行合成，硫的饱和蒸汽压过大的问题，制备的硫化亚锗纯度极高，以较低的成本实现了高价值的单一物相硫化亚锗的制备。

公开(公告)号：CN118545752A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410770916.9

申请日：2024-06-14

Applicant: 广东先导稀材股份有限公司

Inventor： 田晖 ,  康冶 ,  张佳 ,  邹高武

IPC: C01G17/00

Abstract: 本发明涉及半导体化合物材料领域，具体是一种二硫化锗的制备方法。本发明提供的二硫化锗的制备方法，先采用较低的温度使锗粉与液态硫直接化合生成硫化亚锗固体，再升温至硫化亚锗熔点以上，在熔融状态下，微量未反应的硫和锗进一步化合，首先能够得到单一物相硫化亚锗产品。然后采用较低的温度使硫化亚锗粉末与液态硫直接化合生成二硫化锗固体，再升温至硫化亚锗熔点以上进一步化合，最后升温至二硫化锗熔点以上，微量未反应的硫和硫化亚锗进一步化合，即可得到单一物相二硫化锗产品。不仅克服了现有技术中步骤繁琐和对反应器要求苛刻等问题，而且制备的二硫化锗纯度极高，以较低的成本实现了高价值的单一物相二硫化锗的制备。