-
公开(公告)号：CN113628924A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110757929.9
申请日：2021-07-05
申请人： 平高集团有限公司 , 西安交通大学 , 国网浙江省电力有限公司
发明人： 钟建英 , 胡飞良 , 郭煜敬 , 刘庆 , 孙广雷 , 李旭旭 , 刘志远 , 王建华 , 杨帆 , 何创伟 , 毕迎华 , 马朝阳 , 胡锦汐 , 龚炳正 , 李永林 , 王铭飞 , 刘文魁 , 庞素敏 , 刘先保 , 赵帆
IPC分类号： H01H33/664 , H01H33/66 , H01H33/662
摘要： 本发明涉及一种断路器及其灭弧室。灭弧室包括：密封壳体，动、静触头组件以及电位触发电极模块，电位触发电极模块包括电位触发电极，其具有处于对应触头组件的触头的合闸对接一端位置的放电端；电位触发电极用于在动触头合闸行程的靠近末端位置、断路器所需投切相位处，由放电端朝向对侧触头放电而使动、静触头之间建立导通路径。本发明的灭弧室通过设置电位触发电极，能够在动触头的合闸行程末端，即靠近静触头但尚未完全合闸的过程中，根据需要在所需投切相位，通过电位触发电极的放电触发动静触头之间产生击穿路径，即建立导通路径，如此即摆脱了动、静触头合闸控制的约束和限制，实现了根据所需投切相位进行准确投切的目的。
-
公开(公告)号：CN109267018B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN201710587670.1
申请日：2017-07-18
IPC分类号： C23C14/32
摘要： 本发明涉及一种快速等离子体镀膜方法及装置，通过在真空室的外部设置导电线圈，利用导电线圈产生的纵向磁场，将真空电弧的能量集中在阳极上，使阳极的材料蒸发，保证镀膜对象的快速镀膜。本发明不仅避免了阴极产生大微粒对膜质量造成的影响，且通过导电线圈产生纵向磁场的作用，可控制电弧能量集中注入于阳极，加速阳极触头的熔化，能使镀膜对象快速成膜。
-
公开(公告)号：CN111640614A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010307784.8
申请日：2020-04-17
申请人： 平高集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 西安交通大学 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
发明人： 李旭旭 , 钟建英 , 毕迎华 , 赵晓民 , 王子寒 , 李永林 , 刘庆 , 朱峰 , 闫静 , 刘志远 , 耿英三 , 马凤翔 , 马朝阳 , 孙广雷 , 王铭飞 , 庞素敏 , 刘文魁 , 刘先保 , 李潇 , 张航
IPC分类号： H01H33/662 , H01H33/664
摘要： 本发明涉及断路器技术领域，具体涉及真空灭弧室及使用该真空灭弧室的断路器。该真空灭弧室包括绝缘外壳、端盖、动触头、静触头、端屏蔽罩、主屏蔽罩、中部屏蔽结构，中部屏蔽结构包括一个或沿轴向由中间向两端依次径向间隔地插装配合的至少两个中部屏蔽罩，所述中部屏蔽罩设于对应的中部金属环上，中部屏蔽罩径向间隔地套装在对应导电杆的外部；所述主屏蔽罩的其中一端与对应端的中部屏蔽结构、端屏蔽罩依次径向间隔地插装在一起；另一端与对应端的中部屏蔽结构、端屏蔽罩依次径向间隔地插装在一起，或者该端与对应端的端屏蔽罩直接径向间隔地插装在一起。在轴向上由动触头、静触头接合处所在的中部向两个端盖所在的端部形成了全屏蔽的屏蔽结构。
-
公开(公告)号：CN107993882B
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201711182639.6
申请日：2017-11-23
IPC分类号： H01H33/664
摘要： 本发明涉及一种真空灭弧室及其纵磁扇形铁心式触头组件、触头片。燃弧过程中电流在进线端的触头片上的流向为从板条部的两端流向扇环形励磁部，从扇环形励磁部上流向燃弧部，电流在扇环形励磁部上流通的过程中会感应出相应的磁场，触头片的扇环形励磁部上产生磁场，磁场的方向与铁心在该位置处产生的磁场的方向相同形成复合磁场，增大了两个触头间的磁场强度，能够提高灭弧能力，解决了现有的四极纵磁铁心式触头在大开距时灭弧能力差的问题。
-
公开(公告)号：CN109267018A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201710587670.1
申请日：2017-07-18
IPC分类号： C23C14/32
CPC分类号： C23C14/325
摘要： 本发明涉及一种快速等离子体镀膜方法及装置，通过在真空室的外部设置导电线圈，利用导电线圈产生的纵向磁场，将真空电弧的能量集中在阳极上，使阳极的材料蒸发，保证镀膜对象的快速镀膜。本发明不仅避免了阴极产生大微粒对膜质量造成的影响，且通过导电线圈产生纵向磁场的作用，可控制电弧能量集中注入于阳极，加速阳极触头的熔化，能使镀膜对象快速成膜。
-
公开(公告)号：CN113745043A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110846240.3
申请日：2021-07-26
发明人： 赵晓民 , 刘沣 , 李旭旭 , 马慧 , 何创伟 , 刘志远 , 刘庆 , 杨帆 , 马朝阳 , 孙广雷 , 龚炳正 , 毕迎华 , 胡锦汐 , 李永林 , 刘文魁 , 关昕 , 李一林 , 庞素敏 , 赵帆
IPC分类号： H01H33/66 , H01H33/664 , H01H33/666 , H01H9/52
摘要： 本发明属于真空开关技术领域，具体涉及一种真空断路器及其支撑导体结构，支撑导体结构包括导电支撑筒以及设于导电支撑筒底部的下导电座，所述导电支撑筒用于与动端导电杆导电相连；所述导电支撑筒的外部设有散热翅片，以将导电支撑筒上的热量传导出去。增加散热翅片后能够增加散热面积，提升导电支撑筒与外部之间的自然换热能力和辐射换热能力，能够将导电支撑筒上的热量快速地传导出去。而导电支撑筒与动静触头相连，导电支撑筒上的热量传导出去之后能够降低动静触头的温度，避免动静触头在分合闸过程中发生塑性形变，保证真空灭弧室的机械特性和绝缘特性。
-
公开(公告)号：CN110289191B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910651298.5
申请日：2019-07-18
IPC分类号： H01H33/664
摘要： 一种四分之二匝线圈型纵磁触头结构及应用的真空灭弧室，该触头结构包括相对放置的静触头和动触头，静触头包括静导电杆、静侧2/4匝纵磁线圈、静支撑座和静触头片；静侧2/4匝纵磁线圈布置于静导电杆底部，为双层结构，具有四条并联支路，支路末端与静触头片焊接，静触头片上开有4条直线槽以减小涡流，静触头片背面布置有静支撑座；动触头与静触头结构相同，触头片相对布置；本发明结构应用于真空灭弧室，与现有触头结构相比可在保证一定磁场强度的条件下大幅减小触头系统的电阻，提高灭弧室的额定通流能力。
-
公开(公告)号：CN107993882A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711182639.6
申请日：2017-11-23
IPC分类号： H01H33/664
摘要： 本发明涉及一种真空灭弧室及其纵磁扇形铁心式触头组件、触头片。燃弧过程中电流在进线端的触头片上的流向为从板条部的两端流向扇环形励磁部，从扇环形励磁部上流向燃弧部，电流在扇环形励磁部上流通的过程中会感应出相应的磁场，触头片的扇环形励磁部上产生磁场，磁场的方向与铁心在该位置处产生的磁场的方向相同形成复合磁场，增大了两个触头间的磁场强度，能够提高灭弧能力，解决了现有的四极纵磁铁心式触头在大开距时灭弧能力差的问题。
-
公开(公告)号：CN110289191A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910651298.5
申请日：2019-07-18
IPC分类号： H01H33/664
摘要： 一种四分之二匝线圈型纵磁触头结构及应用的真空灭弧室，该触头结构包括相对放置的静触头和动触头，静触头包括静导电杆、静侧2/4匝纵磁线圈、静支撑座和静触头片；静侧2/4匝纵磁线圈布置于静导电杆底部，为双层结构，具有四条并联支路，支路末端与静触头片焊接，静触头片上开有4条直线槽以减小涡流，静触头片背面布置有静支撑座；动触头与静触头结构相同，触头片相对布置；本发明结构应用于真空灭弧室，与现有触头结构相比可在保证一定磁场强度的条件下大幅减小触头系统的电阻，提高灭弧室的额定通流能力。
-
公开(公告)号：CN117854982A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410216317.2
申请日：2024-02-27
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01H33/668 , G01L21/30
摘要： 一种复合击穿路径真空度检测电极结构及应用的真空灭弧室，该复合击穿路径真空度检测电极结构包括多组电极，各组电极具有不同的形状及击穿条件；多组电极组合均匀分布于真空灭弧室端部盖板的陶瓷绝缘体底座上，以此产生的效果是在各组电极上施加独立的电压条件时，不同的电极间隙在相同的真空度和气压条件下，通过不同击穿路径下不同电极结构、不同真空间隙的击穿结果的组合，显示出对应的真空度或者气体压力范围；本发明具有实现高电压等级真空灭弧室的真空度在线监测功能，且复合击穿路径真空度检测电极结构避免了单电极检测结构不能辨别高真空与大气环境的缺陷，提高了真空度在线监测功能的精确度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
401 条记录 (耗时 0.086 秒)
