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公开(公告)号：CN109267018B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN201710587670.1
申请日：2017-07-18
IPC分类号： C23C14/32
摘要： 本发明涉及一种快速等离子体镀膜方法及装置，通过在真空室的外部设置导电线圈，利用导电线圈产生的纵向磁场，将真空电弧的能量集中在阳极上，使阳极的材料蒸发，保证镀膜对象的快速镀膜。本发明不仅避免了阴极产生大微粒对膜质量造成的影响，且通过导电线圈产生纵向磁场的作用，可控制电弧能量集中注入于阳极，加速阳极触头的熔化，能使镀膜对象快速成膜。
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公开(公告)号：CN109267018A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201710587670.1
申请日：2017-07-18
IPC分类号： C23C14/32
CPC分类号： C23C14/325
摘要： 本发明涉及一种快速等离子体镀膜方法及装置，通过在真空室的外部设置导电线圈，利用导电线圈产生的纵向磁场，将真空电弧的能量集中在阳极上，使阳极的材料蒸发，保证镀膜对象的快速镀膜。本发明不仅避免了阴极产生大微粒对膜质量造成的影响，且通过导电线圈产生纵向磁场的作用，可控制电弧能量集中注入于阳极，加速阳极触头的熔化，能使镀膜对象快速成膜。
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公开(公告)号：CN113628924A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110757929.9
申请日：2021-07-05
申请人： 平高集团有限公司 , 西安交通大学 , 国网浙江省电力有限公司
发明人： 钟建英 , 胡飞良 , 郭煜敬 , 刘庆 , 孙广雷 , 李旭旭 , 刘志远 , 王建华 , 杨帆 , 何创伟 , 毕迎华 , 马朝阳 , 胡锦汐 , 龚炳正 , 李永林 , 王铭飞 , 刘文魁 , 庞素敏 , 刘先保 , 赵帆
IPC分类号： H01H33/664 , H01H33/66 , H01H33/662
摘要： 本发明涉及一种断路器及其灭弧室。灭弧室包括：密封壳体，动、静触头组件以及电位触发电极模块，电位触发电极模块包括电位触发电极，其具有处于对应触头组件的触头的合闸对接一端位置的放电端；电位触发电极用于在动触头合闸行程的靠近末端位置、断路器所需投切相位处，由放电端朝向对侧触头放电而使动、静触头之间建立导通路径。本发明的灭弧室通过设置电位触发电极，能够在动触头的合闸行程末端，即靠近静触头但尚未完全合闸的过程中，根据需要在所需投切相位，通过电位触发电极的放电触发动静触头之间产生击穿路径，即建立导通路径，如此即摆脱了动、静触头合闸控制的约束和限制，实现了根据所需投切相位进行准确投切的目的。
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公开(公告)号：CN110289191A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910651298.5
申请日：2019-07-18
IPC分类号： H01H33/664
摘要： 一种四分之二匝线圈型纵磁触头结构及应用的真空灭弧室，该触头结构包括相对放置的静触头和动触头，静触头包括静导电杆、静侧2/4匝纵磁线圈、静支撑座和静触头片；静侧2/4匝纵磁线圈布置于静导电杆底部，为双层结构，具有四条并联支路，支路末端与静触头片焊接，静触头片上开有4条直线槽以减小涡流，静触头片背面布置有静支撑座；动触头与静触头结构相同，触头片相对布置；本发明结构应用于真空灭弧室，与现有触头结构相比可在保证一定磁场强度的条件下大幅减小触头系统的电阻，提高灭弧室的额定通流能力。
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公开(公告)号：CN113628923A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110757507.1
申请日：2021-07-05
发明人： 王俊 , 章启峰 , 马朝阳 , 王子寒 , 李旭旭 , 王建华 , 孙广雷 , 赵晓民 , 刘庆 , 何创伟 , 李永林 , 龚炳正 , 杨帆 , 胡锦汐 , 毕迎华 , 王铭飞 , 刘先保 , 李潇 , 吴相杰 , 关昕
IPC分类号： H01H33/664 , H01H33/66
摘要： 本发明涉及双极纵磁触头结构及真空灭弧室。双极纵磁触头结构，包括：静触头组件，静触头组件包括静导电杆、静触头片、静侧U形铁芯；动触头组件，动触头组件包括动导电杆、动触头片、动侧U形铁芯；还包括：动侧铁芯支撑件，与动侧U形铁芯固定连接，用于将动侧U形铁芯固定在真空灭弧室的动端；所述动触头组件的动触头片与动侧U形铁芯分体布置，动触头片能够在动导电杆的带动下实现分合闸。上述方案能够解决现有的双极纵磁触头结构分闸过程中触头间距较小时局部电弧过于集中的问题。
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公开(公告)号：CN110289191B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910651298.5
申请日：2019-07-18
IPC分类号： H01H33/664
摘要： 一种四分之二匝线圈型纵磁触头结构及应用的真空灭弧室，该触头结构包括相对放置的静触头和动触头，静触头包括静导电杆、静侧2/4匝纵磁线圈、静支撑座和静触头片；静侧2/4匝纵磁线圈布置于静导电杆底部，为双层结构，具有四条并联支路，支路末端与静触头片焊接，静触头片上开有4条直线槽以减小涡流，静触头片背面布置有静支撑座；动触头与静触头结构相同，触头片相对布置；本发明结构应用于真空灭弧室，与现有触头结构相比可在保证一定磁场强度的条件下大幅减小触头系统的电阻，提高灭弧室的额定通流能力。
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公开(公告)号：CN118432299A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410529760.5
申请日：2024-04-29
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种真空中的磁耦合无线传能系统，包括真空管，真空管外部设置绝缘外壳，真空管内部设置发射端绝缘板和接收端绝缘板，发射端绝缘板和接收端绝缘板设有通孔保证真空管的上下连通；发射端绝缘板和接收端绝缘板上分别缠绕发射端线圈和接收端线圈，发射端线圈和接收端线圈分别通过发射端导线和接收端导线连接发射电路和接收电路，接收电路连接用电设备；所述发射电路将预设幅值与频率的交流电压通过发射端导线传送至发射端线圈，发射端线圈在真空管中产生电磁场并将能量传送至接收端线圈，接收端线圈上感应产生的交流电压通过接收端导线传送至接收电路调至符合要求的波形后作用于用电设备。本发明用于解决高电压等级差距之间超声传能装置的绝缘问题，从而实现在跨高电压等级的条件下高效率地将高功率电能从电源侧传送到用电设备。
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公开(公告)号：CN117854982A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410216317.2
申请日：2024-02-27
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01H33/668 , G01L21/30
摘要： 一种复合击穿路径真空度检测电极结构及应用的真空灭弧室，该复合击穿路径真空度检测电极结构包括多组电极，各组电极具有不同的形状及击穿条件；多组电极组合均匀分布于真空灭弧室端部盖板的陶瓷绝缘体底座上，以此产生的效果是在各组电极上施加独立的电压条件时，不同的电极间隙在相同的真空度和气压条件下，通过不同击穿路径下不同电极结构、不同真空间隙的击穿结果的组合，显示出对应的真空度或者气体压力范围；本发明具有实现高电压等级真空灭弧室的真空度在线监测功能，且复合击穿路径真空度检测电极结构避免了单电极检测结构不能辨别高真空与大气环境的缺陷，提高了真空度在线监测功能的精确度。
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公开(公告)号：CN117438243A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311646880.5
申请日：2023-12-04
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01H33/664 , H01H33/666
摘要： 本发明公开一种双动触头真空断路器结构，包括双动真空灭弧室和设置在真空灭弧室外部的传动系统；双动真空灭弧室包括连接在主动导电杆和从动导电杆外端的触头弹簧，设置在主动导电杆和从动导电杆上的波纹管，设置在主动导电杆和从动导电杆上的导向套，连接在与主动导电杆连接的触头弹簧外端的的绝缘拉杆；传动系统包括固定连杆、中间连杆、杠杆、连杆；通过传动系统的传动能够使真空断路器合分闸时两触头相向或反向运动。本发明可以使断路器在关合或开断时两个触头同时相向或反向运动，提高了两触头间的相对运动速度，有利于提高开断能力，降低真空断路器对操动机构操作功的要求，大幅度降低操动机构的体积和重量，提高了真空断路器的机械寿命。
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公开(公告)号：CN116705546A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310825098.3
申请日：2023-07-06
申请人： 西安交通大学
摘要： 一种具有内置永磁体阵列的触头结构及应用的GIS快速隔离开关，该触头结构包括一对置于屏蔽罩下的环形永磁体组合结构以及置于动端触头导电杆内部的动导杆永磁体结构；环形永磁体组合结构中的永磁体可以为多个永磁体的组合或者一个整体的环形永磁体；环形永磁体组合结构中的永磁体极性可以保持一致、相间分布或对称分布；动导杆永磁体结构为圆柱形或者矩形，其强磁场端面分别朝向动触头内部和静触头；屏蔽罩下的环形永磁体组合结构和动端触头导电杆内部的动导杆永磁体结构配合之后在隔离开关触头间隙区域产生磁场，在该磁场的作用下实现电流的开断；本发明解决了在使用环保气体代替SF6气体的情况下，传统的GIS快速隔离开关结构的小电流开断能力不足的问题。
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