公开(公告)号：CN116426877A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310467753.2

申请日：2023-04-27

Applicant: 常州大学

Inventor： 杜文汉 ,  顾俨湘 ,  陈旺泽 ,  杨景景 ,  杜晓娇 ,  蒋鼎

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  H01F1/40 ,  H01F41/18 ,  H01F41/22

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种具有稀磁特性锡酸钡薄膜的制备方法。本发明采用磁控溅射方法在衬底上沉积锡酸钡薄膜；先预溅射去除锡酸钡靶材表面的杂质，控制真空度，气体氛围调整为氩气氧气混合气，衬底温度维持室温，采用磁控溅射法在衬底上沉积锡酸钡薄膜；然后将锡酸钡薄膜样品放入退火炉中。采用真空退火处理或纯氧条件退火处理方法进行退火热处理。将不同热处理条件的锡酸钡薄膜样品放入震动样品磁强计进行磁性参数测量。测出的数据表明制备的锡酸钡薄膜具备室温下的稀磁特性。