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公开(公告)号：CN107217296A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710300122.6
申请日：2017-04-28
Applicant: 常州大学
CPC classification number: C30B15/002 , C30B15/02 , C30B15/06 , C30B29/06
Abstract: 本发明公开一种硅片水平生长设备和方法，该硅片水平生长设备包括外壳，形成腔体；坩埚，位于所述腔体中，具有熔料区、溢流口、第一溢流面和第二溢流面；入料组件，向所述熔料区加入硅原料，且加料速率可调；加热组件，包括两个可移动的加热器，以一定间距配置于所述坩埚的上下两侧；保温组件，对所述腔体的温度进行保持；气体流通组件，包括射流器、导气石墨件、石英抽气管和石英冷却管，其中，所述射流器位于所述第二溢流面上方，所述导气石墨件装配于所述坩埚的底部，所述石英冷却管嵌套在所述石英抽气管外，所述石英抽气管与所述导气石墨件相连；以及隔热挡板，位于所述第二溢流面上方，将所述加热组件和所述射流器相隔离，使所述腔体分为冷热两个温度区域。
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公开(公告)号：CN107217296B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201710300122.6
申请日：2017-04-28
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明公开一种硅片水平生长设备和方法，该硅片水平生长设备包括外壳，形成腔体；坩埚，位于所述腔体中，具有熔料区、溢流口、第一溢流面和第二溢流面；入料组件，向所述熔料区加入硅原料，且加料速率可调；加热组件，包括两个可移动的加热器，以一定间距配置于所述坩埚的上下两侧；保温组件，对所述腔体的温度进行保持；气体流通组件，包括射流器、导气石墨件、石英抽气管和石英冷却管，其中，所述射流器位于所述第二溢流面上方，所述导气石墨件装配于所述坩埚的底部，所述石英冷却管嵌套在所述石英抽气管外，所述石英抽气管与所述导气石墨件相连；以及隔热挡板，位于所述第二溢流面上方，将所述加热组件和所述射流器相隔离，使所述腔体分为冷热两个温度区域。
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公开(公告)号：CN106521623A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611242142.4
申请日：2016-12-29
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明涉及一种硅片水平提拉成型设备热场结构，包括炉体以及设置在炉体内的底座石墨和钳锅，钳锅设置在底座石墨的上端，钳锅的两侧经石墨钩子与底座石墨固定连接，钳锅上形成硅晶熔融区以及温度控制区，硅晶熔融区和温度控制区相通，钳锅下方设置有2根用于石墨加热棒；钳锅温度控制区下方设置有调温石墨毡块和保温石墨毡块，调温石墨毡块连接插杆；底座石墨的一侧设置开口，开口与钳锅的温度控制区连通，开口外侧安装用于水平提拉的基板。本发明的水平硅片提拉成型设备的热场结构，结构设计合理，实用性强，装配方便，有效提高硅片的品质,减少硅片的内部缺陷。
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公开(公告)号：CN206396358U
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201621461518.6
申请日：2016-12-29
Applicant: 常州大学
Abstract: 本实用新型涉及一种硅片水平提拉成型设备热场结构，包括炉体以及设置在炉体内的底座石墨和钳锅，钳锅设置在底座石墨的上端，钳锅的两侧经石墨钩子与底座石墨固定连接，钳锅上形成硅晶熔融区以及温度控制区，硅晶熔融区和温度控制区相通，钳锅下方设置有2根用于石墨加热棒；钳锅温度控制区下方设置有调温石墨毡块和保温石墨毡块，调温石墨毡块连接插杆；底座石墨的一侧设置开口，开口与钳锅的温度控制区连通，开口外侧安装用于水平提拉的基板。本实用新型的水平硅片提拉成型设备的热场结构，结构设计合理，实用性强，装配方便，有效提高硅片的品质,减少硅片的内部缺陷。
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