公开(公告)号：CN107217296A

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201710300122.6

申请日：2017-04-28

Applicant: 常州大学

Inventor： 丁建宁 ,  袁宁一 ,  徐嘉伟 ,  沈达鹏 ,  徐晓东 ,  孙涛 ,  王书博

IPC: C30B15/06 ,  C30B15/02 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/002 ,  C30B15/02 ,  C30B15/06 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明公开一种硅片水平生长设备和方法，该硅片水平生长设备包括外壳，形成腔体；坩埚，位于所述腔体中，具有熔料区、溢流口、第一溢流面和第二溢流面；入料组件，向所述熔料区加入硅原料，且加料速率可调；加热组件，包括两个可移动的加热器，以一定间距配置于所述坩埚的上下两侧；保温组件，对所述腔体的温度进行保持；气体流通组件，包括射流器、导气石墨件、石英抽气管和石英冷却管，其中，所述射流器位于所述第二溢流面上方，所述导气石墨件装配于所述坩埚的底部，所述石英冷却管嵌套在所述石英抽气管外，所述石英抽气管与所述导气石墨件相连；以及隔热挡板，位于所述第二溢流面上方，将所述加热组件和所述射流器相隔离，使所述腔体分为冷热两个温度区域。

公开(公告)号：CN107217296B

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201710300122.6

申请日：2017-04-28

Applicant: 常州大学

Inventor： 丁建宁 ,  袁宁一 ,  徐嘉伟 ,  沈达鹏 ,  徐晓东 ,  孙涛 ,  王书博

IPC: C30B15/06 ,  C30B15/02 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明公开一种硅片水平生长设备和方法，该硅片水平生长设备包括外壳，形成腔体；坩埚，位于所述腔体中，具有熔料区、溢流口、第一溢流面和第二溢流面；入料组件，向所述熔料区加入硅原料，且加料速率可调；加热组件，包括两个可移动的加热器，以一定间距配置于所述坩埚的上下两侧；保温组件，对所述腔体的温度进行保持；气体流通组件，包括射流器、导气石墨件、石英抽气管和石英冷却管，其中，所述射流器位于所述第二溢流面上方，所述导气石墨件装配于所述坩埚的底部，所述石英冷却管嵌套在所述石英抽气管外，所述石英抽气管与所述导气石墨件相连；以及隔热挡板，位于所述第二溢流面上方，将所述加热组件和所述射流器相隔离，使所述腔体分为冷热两个温度区域。