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公开(公告)号:CN118932447A
公开(公告)日:2024-11-12
申请号:CN202411198847.5
申请日:2024-08-29
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明涉及一种在深共晶溶剂中电沉积制备Se‑Sb半导体薄膜的方法,属于电沉积技术领域。将硒源和锑源溶解于以氯化胆碱和乙二醇制备的深共晶溶剂中制得电解液。采用脉冲恒电位电沉积方法,在电解液体系中制得带隙为1.15~1.20eV、P型导电性以及光电流为0.08~0.15mA/cm2的Se‑Sb半导体薄膜。制得薄膜中Se含量为57.00~63.00At.%,Sb含量为37.00%~43.00At.%,主要相组成为Sb2Se3,具有优良的半导体性能。本发明操作简便、过程安全可靠,无析氢析氧等副反应,电流效率高,电解液可回收循环利用,是绿色环保制备Se‑Sb半导体薄膜的方法。
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公开(公告)号:CN117890317A
公开(公告)日:2024-04-16
申请号:CN202410081320.8
申请日:2024-01-19
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明公开了一种铜电沉积溶液中明胶含量的测定方法,属于电沉积溶液中添加剂分析检测领域。本发明用定量的硫酸高铈将铜电沉积溶液中的明胶氧化分解,采用分光光度法在波长323nm处测定硫酸高铈溶液与电沉积溶液中明胶反应前后的吸光度,计算其吸光度变化值;采用标准曲线法计算待测电沉积溶液中的明胶含量。本发明实现了对铜电沉积溶液中的明胶的定量分析,检测方法简单,灵敏度高,快速准确,对生产过程中有效调控铜箔的品质具有积极的意义。
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公开(公告)号:CN115652377A
公开(公告)日:2023-01-31
申请号:CN202211307416.9
申请日:2022-10-25
Applicant: 常州大学 , 四川铭丰电子材料科技有限公司
IPC: C25D1/04
Abstract: 本发明属于电子铜箔制造技术领域,具体公开一种电解铜箔制备中降低阳极析氧电位的方法。电解铜箔制造工艺中,普遍采用的阳极是钛的氧化铱和氧化钽涂层(IrO2‑Ta2O5/Ti)电极。为了实现降低能耗和保护阳极提高阳极寿命,本发明在电解铜箔的铜电沉积溶液中加入添加剂,即高锰酸钾、重铬酸钾或二者的混合物,由于上述添加剂的加入,使得在阳极(IrO2‑Ta2O5/Ti)上析氧电位下降,进而电解铜箔槽电压的下降。由此,既起到了降低能耗的作用,同时也由于电位的降低,有效地提高了电极寿命。
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公开(公告)号:CN118639281A
公开(公告)日:2024-09-13
申请号:CN202410990568.6
申请日:2024-07-23
Applicant: 常州大学
IPC: C25D1/04
Abstract: 本发明属于电解铜箔技术领域,涉及一种用于电解铜箔的贵金属阳极的制备方法。本发明首先是利用水热法制备出具有立方结构的Zr‑MOF粉体,再将其高温氧化成二氧化锆,与三氯化钌、还原氧化石墨烯配制悬浊液,接着利用热分解法将涂液均匀地涂覆在经过烷基羧酸刻蚀的钛基底表面,重复进行烘干、烧结和冷却的步骤,最终得到RuO2‑ZrO2‑rGO/Ti阳极。本发明可以有效提高在电解铜箔中阳极的析氧催化活性、使用寿命和工作效率等问题,显著降低了析氧阳极的过电位。本发明提出的方法工艺简单,条件温和,极大地节约了电能消耗。
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公开(公告)号:CN117990759A
公开(公告)日:2024-05-07
申请号:CN202410228112.6
申请日:2024-02-29
Applicant: 常州大学
IPC: G01N27/30
Abstract: 本发明公开了一种铜电沉积溶液中添加剂明胶含量的测定方法,属于电解铜箔制造领域。本发明使用重铬酸钾(K2Cr2O7)作为氧化剂,将铜电沉积溶液中的明胶氧化分解,然后采用溶出伏安分析的方法选择性测定铜电沉积溶液中的剩余的重铬酸根离子(Cr2O72‑)。根据Cr2O72‑的峰电流,可以计算出铜电沉积溶液中的明胶含量。本发明的检测方法简单,灵敏度高,快速准确,对生产过程中有效调控电解铜箔的品质具有积极的意义。
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公开(公告)号:CN119351089A
公开(公告)日:2025-01-24
申请号:CN202411400895.8
申请日:2024-10-09
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明属于铜电解液添加剂检测技术领域,公开了一种基于能带调控的C3N4荧光探针检测铜电解液中明胶含量的方法。由于C‑C3N4发射的荧光强度不因二价铜离子的存在而猝灭,当C‑C3N4溶液中有明胶存在时,极其微量的明胶存在,即会引起C‑C3N4溶液荧光的猝灭,且明胶的浓度与C‑C3N4荧光强度的变化值呈线性关系。使用能带调控后的C3N4(C‑C3N4)作为荧光探针,采用荧光分析方法,当以320nm波长光照射C‑C3N4溶液时,在433nm处可以见到C‑C3N4的发射峰,实现了对铜电解液中的明胶的定量分析。该检测方法简便高效,检测灵敏度高,检测限低,对有效调控铜箔的品质具有积极的意义。
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公开(公告)号:CN118294507A
公开(公告)日:2024-07-05
申请号:CN202410285635.4
申请日:2024-03-13
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明公开了一种用于检测铜电沉积溶液中明胶的电化学发光传感器及其制备方法和应用,属于电解铜箔添加剂检测领域。具体涉及用双氧水(H2O2)氧化铜电沉积溶液中的明胶,再用氢氧化钡(Ba(OH)2)将铜电沉积溶液中的铜离子(Cu2+)和硫酸根离子(SO42‑)沉淀分离后,采用电化学发光分析法检测剩余的H2O2的发光强度,根据标准曲线法可以计算出铜电沉积溶液中明胶的浓度。电化学发光传感器是由MIL‑68/Ag3PO4复合材料修饰于玻碳电极(GCE)得到的。本发明的电化学发光传感器的检测方法简单,灵敏度非常高,对获得高品质的电解铜箔具有重要的促进作用。
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