公开(公告)号：CN1788364A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN200480012736.5

申请日：2004-04-08

Applicant: 巴斯福股份公司 ,  密执安州大学

Inventor： H-J·施特策尔 ,  K·屈林 ,  M·G·卡迪纳齐迪斯 ,  D-Y·钟

IPC: H01L35/16 ,  H01L35/22

CPC classification number: H01L35/16 ,  H01L35/22

Abstract: 一种由一般分子式(Pb1－xGex)Te的三元化合物构成的热电活性p型或n型导电半导体材料，其中x从0.16至0.5取值，其中0至10重量％的所述三元化合物可由其它金属或金属化合物代替，其中所述半导体材料在25℃的温度下具有至少±200μV/K的塞贝克系数。

公开(公告)号：CN101048833A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200580036882.6

申请日：2005-10-20

Applicant: 巴斯福股份公司

Inventor： F·托马斯 ,  P·德克 ,  K·屈林 ,  H-J·施特策尔 ,  D·费斯彻尔

IPC: H01G4/005 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01G4/005 ,  H01G9/042 ,  Y02T10/7022 ,  Y10T29/435

Abstract: 本发明涉及一种具有多孔导电基底的电容器，在该基底的内表面及外表面上施加介质的第一层及导电第二层。本发明还涉及一种用于制造这种电容器的方法及其在电气与电子电路中的用途。

公开(公告)号：CN1653566A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN03810573.X

申请日：2003-05-12

Applicant: 巴斯福股份公司

Inventor： H-J·施特策尔 ,  K·屈林

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/005 ,  H05K1/16

CPC classification number: H01G4/005 ,  H01G4/1227 ,  H05K1/162

Abstract: 一种具有高能量密度的电容器，包括惰性多孔状体，在所述体积上施加有第一导电层、第二钛酸钡层、以及另一导电层。