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公开(公告)号：CN1788364A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200480012736.5
申请日：2004-04-08
Inventor： H-J·施特策尔 , K·屈林 , M·G·卡迪纳齐迪斯 , D-Y·钟
Abstract: 一种由一般分子式(Pb1－xGex)Te的三元化合物构成的热电活性p型或n型导电半导体材料，其中x从0.16至0.5取值，其中0至10重量％的所述三元化合物可由其它金属或金属化合物代替，其中所述半导体材料在25℃的温度下具有至少±200μV/K的塞贝克系数。
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