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公开(公告)号：CN105049021A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510438121.9
申请日：2015-07-22
申请人： 工业和信息化部电子第五研究所
IPC分类号： H03K19/003 , H03K19/094
摘要： 本发明提供一种高可靠性负压电荷泵电路与集成电路，高可靠性负压电荷泵电路包括第一互补交叠时钟装置、第二互补交叠时钟装置、第一电荷泵装置、第二电荷泵装置、分压电路、第一比较装置以及第二比较装置，采用第一互补交叠时钟装置驱动所述第一电荷泵装置，第二互补交叠时钟装置驱动所述第二电荷泵装置，有效提高电荷泵的传输效率，通过两级电荷泵并联，有效提高电荷泵的运行可靠性，另外，两级电荷泵装置共用分压电路和比较装置，有效的减少了占用面积，且根据需要的输出电压选择不同部分工作，有效提高负压电荷泵长时间工作的可靠性，即更进一步提高本发明高可靠性负压电荷泵电路的可靠性。
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公开(公告)号：CN104932984A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510240026.8
申请日：2015-05-12
申请人： 工业和信息化部电子第五研究所
IPC分类号： G06F12/02
摘要： 本发明涉及一种多位翻转检测方法和系统，所述方法包括：获取待测器件的发生信息翻转的存储地址的物理地址、所述存储地址的翻转信息和所述翻转信息的读取时间，生成各所述存储地址对应的物理地址、翻转信息和读取时间；判断所述待测器件的存储架构是否为交错架构；若是，判断各所述存储地址对应的物理地址、翻转信息和读取时间中是否存在读取时间间隔小于预设时间、物理地址间隔小于或等于预设地址间隔且翻转信息相同的至少两个所述存储地址，若存在，则所述检测器件中存在多位翻转。本发明充分考虑了器件内部存储架构对多位翻转检测的影响，使判据更充分，可应用于高集成度存储器时，有效降低误判率，提高多位翻转检测效率。
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公开(公告)号：CN104458216A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410851425.3
申请日：2014-12-30
申请人： 工业和信息化部电子第五研究所
IPC分类号： G01M11/02
摘要： 本发明涉及一种用于检测光学元件弱吸收的装置及方法，装置包括泵浦激光器、非线性晶体、二向色镜、反射结构、第一聚焦镜、第二聚焦镜、滤光元件、针孔及光电探测器。非线性晶体设置在泵浦激光器的激光发射端，二向色镜与非线性晶体具有夹角。所述反射结构用于将所述二向色镜发射出的所述倍频激光反射到光学元件表面。所述第二聚焦镜用于将所述发射结构发射出的倍频激光聚焦到所述光学元件表面。所述滤光元件、针孔依次设置在所述光学元件与所述光电探测器之间。本发明能克服传统方式中由于泵浦激光与探测激光相位不同导致直流分量对测试结果的影响的缺陷，尤其适合短脉冲泵浦激光的测量，其大大提高了光学元件弱吸收测试的灵敏度和精度。
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公开(公告)号：CN104932984B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201510240026.8
申请日：2015-05-12
申请人： 工业和信息化部电子第五研究所
IPC分类号： G06F12/02
摘要： 本发明涉及一种多位翻转检测方法和系统，所述方法包括：获取待测器件的发生信息翻转的存储地址的物理地址、所述存储地址的翻转信息和所述翻转信息的读取时间，生成各所述存储地址对应的物理地址、翻转信息和读取时间；判断所述待测器件的存储架构是否为交错架构；若是，判断各所述存储地址对应的物理地址、翻转信息和读取时间中是否存在读取时间间隔小于预设时间、物理地址间隔小于或等于预设地址间隔且翻转信息相同的至少两个所述存储地址，若存在，则所述检测器件中存在多位翻转。本发明充分考虑了器件内部存储架构对多位翻转检测的影响，使判据更充分，可应用于高集成度存储器时，有效降低误判率，提高多位翻转检测效率。
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公开(公告)号：CN105305989B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201510713728.3
申请日：2015-10-27
申请人： 工业和信息化部电子第五研究所
IPC分类号： H03F3/45
摘要： 本发明涉及一种轨到轨运算放大器，包括轨到轨输入级电路、上行电流补偿电路、下行电流补偿电路、输出级电路和电流镜像电路，轨到轨输入级电路分别连接上行电流补偿电路、下行电流补偿电路、电流镜像电路和输出级电路，电流镜像电路还连接上行电流补偿电路、下行电流补偿电路和输出级电路；电流镜像电路提供偏置电流，轨到轨输入级电路接入共模电平信号并输出至输出级电路，输出级电路用于对共模电平信号进行处理输出放大信号，上行电流补偿电路和下行电流补偿电路分别用于在共模电平信号的电压上行或电压下行时对轨到轨输入级电路的工作电流进行补偿，使轨到轨输入级电路的工作电流保持恒定，轨到轨运算放大器的轨到轨输入级电路的跨导波动小。
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公开(公告)号：CN105067985B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201510439346.6
申请日：2015-07-22
申请人： 工业和信息化部电子第五研究所
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供一种基于NBTI效应PMOS管参数退化的失效预警装置，包括依次连接的负偏压电荷泵电路、参数监测电路、信号处理电路以及信号锁存输出电路，负荷电荷泵电路输出‑VDD到0V连续可调的负偏压至参数监测电路，参数监测电路将‑VDD到0V连续可调的负偏压施加至待失效预警PMOS管，施加VDD电压至标准PMOS管，待失效预警PMOS管加速退化，输出两者阈值电压至信号处理电路，信号处理电路对两个阈值电压进行处理生成模拟信号输出至信号锁存输出电路，信号锁存输出电路将模拟信号与第一参考电压比较，生成预警信号，实现对失效预警PMOS管的参数退化失效预警，确保高性能集成电路的稳定性。
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公开(公告)号：CN104934072B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201510240840.X
申请日：2015-05-12
申请人： 工业和信息化部电子第五研究所
IPC分类号： G11C29/44
摘要： 本发明涉及一种单粒子效应检测方法和系统，所述方法包括读取第一粒子束流辐照下的待测器件的各地址的存储信息，生成第一读信息，并对第一读信息和第一预设数据进行比较，生成第一比信息；若根据所述第一比信息判定所述待测器件内存在单粒子翻转或单粒子硬错误，则读取第二粒子束流辐照后的所述待测器件的各地址的存储信息，生成第二读信息，并对第二读信息和第二预设数据进行比较，生成第二比信息；若根据所述第二比信息判断出所述待测器件内存在单粒子翻转或单粒子硬错误，则判定所述待测器件内的单粒子翻转或单粒子硬错误不是外围电路瞬态脉冲引起的单粒子翻转或单粒子硬错误。实施本发明，可快速、准确地测得单粒子效应与外围电路间关联。
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公开(公告)号：CN104458216B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410851425.3
申请日：2014-12-30
申请人： 工业和信息化部电子第五研究所
IPC分类号： G01M11/02
摘要： 本发明涉及一种用于检测光学元件弱吸收的装置及方法，装置包括泵浦激光器、非线性晶体、二向色镜、反射结构、第一聚焦镜、第二聚焦镜、滤光元件、针孔及光电探测器。非线性晶体设置在泵浦激光器的激光发射端，二向色镜与非线性晶体具有夹角。所述反射结构用于将所述二向色镜发射出的所述倍频激光反射到光学元件表面。所述第二聚焦镜用于将所述反射结构发射出的倍频激光聚焦到所述光学元件表面。所述滤光元件、针孔依次设置在所述光学元件与所述光电探测器之间。本发明能克服传统方式中由于泵浦激光与探测激光相位不同导致直流分量对测试结果的影响的缺陷，尤其适合短脉冲泵浦激光的测量，其大大提高了光学元件弱吸收测试的灵敏度和精度。
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公开(公告)号：CN105067985A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510439346.6
申请日：2015-07-22
申请人： 工业和信息化部电子第五研究所
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供一种基于NBTI效应PMOS管参数退化的失效预警装置，包括依次连接的负偏压电荷泵电路、参数监测电路、信号处理电路以及信号锁存输出电路，负荷电荷泵电路输出-VDD到0V连续可调的负偏压至参数监测电路，参数监测电路将-VDD到0V连续可调的负偏压施加至待失效预警PMOS管，施加VDD电压至标准PMOS管，待失效预警PMOS管加速退化，输出两者阈值电压至信号处理电路，信号处理电路对两个阈值电压进行处理生成模拟信号输出至信号锁存输出电路，信号锁存输出电路将模拟信号与第一参考电压比较，生成预警信号，实现对失效预警PMOS管的参数退化失效预警，确保高性能集成电路的稳定性。
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公开(公告)号：CN104934072A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510240840.X
申请日：2015-05-12
申请人： 工业和信息化部电子第五研究所
IPC分类号： G11C29/44
摘要： 本发明涉及一种单粒子效应检测方法和系统，所述方法包括读取第一粒子束流辐照下的待测器件的各地址的存储信息，生成第一读信息，并对第一读信息和第一预设数据进行比较，生成第一比信息；若根据所述第一比信息判定所述待测器件内存在单粒子翻转或单粒子硬错误，则读取第二粒子束流辐照后的所述待测器件的各地址的存储信息，生成第二读信息，并对第二读信息和第二预设数据进行比较，生成第二比信息；若根据所述第二比信息判断出所述待测器件内存在单粒子翻转或单粒子硬错误，则判定所述待测器件内的单粒子翻转或单粒子硬错误不是外围电路瞬态脉冲引起的单粒子翻转或单粒子硬错误。实施本发明，可快速、准确地测得单粒子效应与外围电路间关联。
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