二维SiP2和h-BN复合结构光电晶体管及制备方法

    公开(公告)号:CN115274892B

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202210914216.3

    申请日:2022-08-01

    Applicant: 山东大学

    Abstract: 一种二维SiP2和h‑BN复合结构光电晶体管及制备方法,该复合结构光电晶体管以二维材料SiP2作为沟道材料,在二维SiP2沟道的底面插入h‑BN,并采用硅作为衬底,SiO2作为栅介质层,对硅施加栅压进而调控暗电流;其制备方法包括以下步骤:(1)将h‑BN纳米薄膜转移到硅衬底上;(2)将SiP2纳米薄膜定点转移至已置于硅衬底上的h‑BN纳米薄膜表面;(3)将硅衬底表面均匀旋涂光刻胶,制备底电极的图形;(4)对底电极的图形进行定位曝光,然后进行显影,暴露出需要蒸镀电极部分;(5)制备金属电极。本发明利用h‑BN作为衬底减少SiP2表面的缺陷,降低电荷散射,提高光电流,能够获得高的探测率,实现高灵敏的特性。

    一种两亲性二硫化钼纳米片辅助制备新型纳滤膜的方法

    公开(公告)号:CN117225210A

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202311213001.X

    申请日:2023-09-20

    Applicant: 山东大学

    Abstract: 本发明公开了一种两亲性二硫化钼纳米片辅助制备新型纳滤膜的方法,属于膜技术领域。方法为:将二硫化钼粉末与正丁基锂混合,加水得到混合溶液,将其置于冰水浴中超声,然后进行离心、干燥,得到二硫化钼纳米片;将二硫化钼纳米片溶于水中,加入十六烷基三甲基溴化铵搅拌均匀,最后经洗涤后得到二硫化钼‑十六烷基三甲基溴化铵纳米片,将其溶于有机溶剂中,得到二硫化钼‑十六烷基三甲基溴化铵溶液,接着倒入Kevlar水凝胶基底膜片上,静置,然后倒入油相溶液进行反应,干燥,即得到新型纳滤膜。本发明制备的纳滤膜在维持高截盐率的同时提高了纳滤膜的水渗透性,并且形成的Kevlar高强度三维网络结构能够支撑纳滤膜长期稳定的运行。

    二维SiP2和h-BN复合结构光电晶体管及制备方法

    公开(公告)号:CN115274892A

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202210914216.3

    申请日:2022-08-01

    Applicant: 山东大学

    Abstract: 一种二维SiP2和h‑BN复合结构光电晶体管及制备方法,该复合结构光电晶体管以二维材料SiP2作为沟道材料,在二维SiP2沟道的底面插入h‑BN,并采用硅作为衬底,SiO2作为栅介质层,对硅施加栅压进而调控暗电流;其制备方法包括以下步骤:(1)将h‑BN纳米薄膜转移到硅衬底上;(2)将SiP2纳米薄膜定点转移至已置于硅衬底上的h‑BN纳米薄膜表面;(3)将硅衬底表面均匀旋涂光刻胶,制备底电极的图形;(4)对底电极的图形进行定位曝光,然后进行显影,暴露出需要蒸镀电极部分;(5)制备金属电极。本发明利用h‑BN作为衬底减少SiP2表面的缺陷,降低电荷散射,提高光电流,能够获得高的探测率,实现高灵敏的特性。

    MoTe2和Si复合结构全光太赫兹调制器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110531540A

    公开(公告)日:2019-12-03

    申请号:CN201910826305.0

    申请日:2019-09-03

    Applicant: 山东大学

    Abstract: 一种MoTe2和Si复合结构全光太赫兹调制器及其制备方法,该调制器包括表面抛光的硅片以及硅片表面覆盖的MoTe2层;其制备方法包括以下步骤:(1)称取Te和Mo装入石英管中并封管,(2)将石英管放入加热炉中,Mo和Te充分化合反应;(3)反应完毕取出石英管并离心,得到MoTe2体块单晶;(4)将MoTe2体块单晶放入盛有NMP的离心管中进行超声,得到MoTe2分散液;(5)对获得的分散液进行离心,取上清液;(6)将MoTe2上清液旋涂在清洗后的硅片表面,烘干,使NMP溶液完全挥发,得到MoTe2和Si复合结构的太赫兹调制器。本发明制作工艺简单,能够均匀大面积制备,制备的调制器调制简单易实现,在较低的泵浦激光功率下,能够实现宽带调制,调制调制深度大、灵敏度高。

    一种两亲性二硫化钼纳米片辅助制备新型纳滤膜的方法

    公开(公告)号:CN117225210B

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202311213001.X

    申请日:2023-09-20

    Applicant: 山东大学

    Abstract: 本发明公开了一种两亲性二硫化钼纳米片辅助制备新型纳滤膜的方法,属于膜技术领域。方法为:将二硫化钼粉末与正丁基锂混合,加水得到混合溶液,将其置于冰水浴中超声,然后进行离心、干燥,得到二硫化钼纳米片;将二硫化钼纳米片溶于水中,加入十六烷基三甲基溴化铵搅拌均匀,最后经洗涤后得到二硫化钼‑十六烷基三甲基溴化铵纳米片,将其溶于有机溶剂中,得到二硫化钼‑十六烷基三甲基溴化铵溶液,接着倒入Kevlar水凝胶基底膜片上,静置,然后倒入油相溶液进行反应,干燥,即得到新型纳滤膜。本发明制备的纳滤膜在维持高截盐率的同时提高了纳滤膜的水渗透性,并且形成的Kevlar高强度三维网络结构能够支撑纳滤膜长期稳定的运行。

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