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公开(公告)号：CN1152218A
公开(公告)日：1997-06-18
申请号：CN96111940.3
申请日：1996-08-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H04B1/00
CPC classification number: H03H9/6476 , H03H9/0576 , H03H9/6483 , H03H9/72 , H03H9/725 , H03H2240/00 , H03H2250/00 , H04B1/52 , H04B5/00 , H04B5/0012 , H04B5/0093
Abstract: 一种滤波器装置包括设置在一个封装组件中的至少两个滤波器元件(21，22)，每个滤波器元件仅通过预定频段内的信号，每个滤波器元件的预定频段具有不同的中心频率(f1，f2)。一个输入端(T1)连接到滤波器元件的各自的输入端并由它们共用，以及一个输出端连接到滤波器元件的各自输出端并由它们共用。
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公开(公告)号：CN1103511C
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：CN97119677.X
申请日：1997-09-26
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/6483 , H03H9/0042 , H03H9/02559 , H03H9/6436 , H03H9/6469 , H03H2250/00
Abstract: 声表面波器件包括LiTaO3单晶的压电衬底，具有x、y和z轴及切面。x轴定在声表面波的传播方向上。使晶体切面绕x轴从y轴到z轴旋转一个在40°和42°之间的转角。在衬底的传播方向上形成一对反射栅，一排叉指式换能器介于反射栅之间，具有相对的主电极指和副电极指对，在传播方向上至少有成一排的前、中和后换能器。前和后换能器中的一个换能器内电极指对的数量与中间换能器内电极指对的数量之比是在55%和80%的范围内。
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公开(公告)号：CN1282304C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN03101286.8
申请日：1996-12-27
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/6469 , H03H9/0038 , H03H9/0042 , H03H9/0061 , H03H9/1071 , H03H9/25 , H03H9/6436 , H03H9/6459 , H03H9/6466 , H03H9/6489
Abstract: 一种SAW装置，此装置包括：上面支承着压电基片的封装体；在此压电基片上形成的至少一个SAW元件；所述SAW元件包括多个沿压电基片上表面声波传播路径设置的叉指式电极，每个叉指式电极包括输入侧叉指式电极与输出侧叉指式电极；将所述输入侧叉指式电极连接到设在前述封装体上的第一接地焊接区；将所述输出侧叉指式电极连接到设在前述封装体上的不同的第二接地焊接区。根据本发明，可成功地消除输入侧叉指式电极的接地电极与输出侧叉指式电极的接地电极间的干扰问题，从而能显著改进SAW装置的通带特性。
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公开(公告)号：CN1099769C
公开(公告)日：2003-01-22
申请号：CN96111940.3
申请日：1996-08-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H04B1/00
CPC classification number: H03H9/6476 , H03H9/0576 , H03H9/6483 , H03H9/72 , H03H9/725 , H03H2240/00 , H03H2250/00 , H04B1/52 , H04B5/00 , H04B5/0012 , H04B5/0093
Abstract: 一种滤波器装置包括设置在一个封装组件中的至少两个滤波器元件(21，22)，每个滤波器元件仅通过预定频段内的信号，每个滤波器元件的预定频段具有不同的中心频率(f1，f2)。一个输入端(T1)连接到滤波器元件的各自的输入端并由它们共用，以及一个输出端连接到滤波器元件的各自输出端并由它们共用。
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公开(公告)号：CN1184378A
公开(公告)日：1998-06-10
申请号：CN97119677.X
申请日：1997-09-26
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/6483 , H03H9/0042 , H03H9/02559 , H03H9/6436 , H03H9/6469 , H03H2250/00
Abstract: 声表面波器件包括LiTaO3单晶的压电衬底,具有x、y和z轴及切面。x轴定在声表面波的传播方向上。使晶体切面绕x轴从y轴到z轴旋转一个在40°和42°之间的转角。在衬底的传播方向上形成一对反射栅,一排叉指式换能器介于反射栅之间,具有相对的主电极指和副电极指对,在传播方向上至少有成一排的前、中和后换能器。前和后换能器中的一个换能器内电极指对的数量与中间换能器内电极指对的数量之比是在55%和80%的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1140964C
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN96116720.3
申请日：1996-12-27
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/6469 , H03H9/0038 , H03H9/0042 , H03H9/0061 , H03H9/1071 , H03H9/25 , H03H9/6436 , H03H9/6459 , H03H9/6466 , H03H9/6489
Abstract: 声表面波(SAW)装置，它包括形成在共同的压电基片(1)上且相互级联的至少第一与第二SAW元件(11，21)，此第一与第二SAW元件中的每一个包括多个叉指式电极(11A-11C；21A-21C)，它们各有多个电极指在此压电基片上对应于SAW的路径相互重叠，其中这些电极指的重叠宽度(W1，W2)在第一与第二SAW元件之间改变。
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公开(公告)号：CN1149215A
公开(公告)日：1997-05-07
申请号：CN96104568.X
申请日：1996-04-05
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H03H9/1071 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/16195 , H03H9/058 , H03H9/64 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及适用于高频电路的声表面波器件，它包括：声表面波部件、陶瓷封装、以及金属帽。封装具有多层结构的陶瓷衬底，衬底上有模片固定部分，声表面波部件就安装在模片固定部分上。所述封装还具有与声表面波部件相连接的输入端与输出端，以及位于所述衬底上的开口。每个输入端和输出端都具有接地端。并且用金属帽封住所述开口。所述金属帽与所述输入端或所述输出端的一个接地端电连接。
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公开(公告)号：CN1495998A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03101286.8
申请日：1996-12-27
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/6469 , H03H9/0038 , H03H9/0042 , H03H9/0061 , H03H9/1071 , H03H9/25 , H03H9/6436 , H03H9/6459 , H03H9/6466 , H03H9/6489
Abstract: 一种SAW装置，此装置包括：上面支承着压电基片的封装体；在此压电基片上形成的至少一个SAW元件；所述SAW元件包括多个沿压电基片上表面声波传播路径设置的叉指式电极，每个叉指式电极包括输入侧叉指式电极与输出侧叉指式电极；将所述输入侧叉指式电极连接到设在前述封装体上的第一接地焊接区；将所述输出侧叉指式电极连接到设在前述封装体上的不同的第二接地焊接区。根据本发明，可成功地消除输入侧叉指式电极的接地电极与输出侧叉指式电极的接地电极间的干扰问题，从而能显著改进SAW装置的通带特性。
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公开(公告)号：CN1131590C
公开(公告)日：2003-12-17
申请号：CN96104568.X
申请日：1996-04-05
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H03H9/1071 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/16195 , H03H9/058 , H03H9/64 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及适用于高频电路的声表面波器件，它包括：声表面波部件、陶瓷封装、以及金属帽。封装具有多层结构的陶瓷衬底，衬底上有模片固定部分，声表面波部件就安装在模片固定部分上。所述封装还具有与声表面波部件相连接的输入端与输出端，以及位于所过衬底上的开口。每个输入端和输出端都具有接地端。并且用金属帽封住所述开口。所述金属帽与所述输入端或所述输出端的一个接地端电连接。
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公开(公告)号：CN1158026A
公开(公告)日：1997-08-27
申请号：CN96116720.3
申请日：1996-12-27
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/6469 , H03H9/0038 , H03H9/0042 , H03H9/0061 , H03H9/1071 , H03H9/25 , H03H9/6436 , H03H9/6459 , H03H9/6466 , H03H9/6489
Abstract: 声表面波(SAW)装置，它包括形成在共同的压电基片(1)上且相互级联的至少第一与第二SAW元件(11，21)，此第一与第二SAW元件中的每一个包括多个叉指式电极(11A-11C；21A-21C)，它们各有多个电极指在此压电基片上对应于SAW的路径相互重叠，其中这些电极指的重叠宽度(W1，W2)在第一与第二SAW元件之间改变。
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