公开(公告)号：CN101043021A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200610138989.8

申请日：2006-09-22

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 押领司方生 ,  酒井久弥

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76865

Abstract: 在半导体衬底的中间层绝缘膜中形成导通孔，所述导通孔延伸至所述中间层绝缘膜的底面。填充物填充在所述导通孔中的下部空间。形成在俯视时与该导通孔连接的配线槽，所述配线槽沿厚度方向部分地延伸。所述配线槽是在所述中间层绝缘膜端部的蚀刻速率大于所述填充物的蚀刻速率的条件下，以所述填充物的上表面与所述配线槽的底面之间的高度差为所述导通孔的平面形状的最大尺寸的一半或者一半以下的方式形成的。该导通孔中的填充物被去除，所述导通孔和所述配线槽的内部用导电物填充。