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公开(公告)号：CN100576737C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200710154066.6
申请日：2007-09-13
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/02559 , H03H9/0222 , H03H9/02574
Abstract: 本发明涉及声波器件、谐振器和滤波器。该声波器件包括压电基板；形成在所述压电基板上的梳状电极；以及设置为覆盖所述梳状电极的第一介电膜，并且所述第一介电膜设置为使得：在所述第一介电膜中形成空隙并且该空隙接触所述梳状电极的指。
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公开(公告)号：CN101030764A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710085821.X
申请日：2007-02-28
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/0222 , H03H9/02559 , H03H9/14541 , H03H9/6483
Abstract: 本发明公开了一种弹性边界波器件、谐振器以及滤波器。所述弹性边界波器件包括：LiNbO3基板；设置在所述基板上并激励弹性波的电极；以及设置在所述基板上以覆盖所述电极的二氧化硅膜，并且所述弹性边界波器件的参数具有范围中的任意一个，其中，“θ”为所述基板的旋转Y切割角，“a”为铜密度与用作所述电极的材料的密度之比，“λ”为由所述电极激励的弹性波的波长，“h”为所述电极的膜厚度，“H”为所述二氧化硅膜的厚度。
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公开(公告)号：CN101087127A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200710108911.6
申请日：2007-06-04
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/0222 , H03H9/02834 , H03H9/02929
Abstract: 本发明提供声界面波器件、谐振器和滤波器。该声界面波器件包括：具有压电性的第一介质；多个电极，其设置在所述第一介质上，并激发声波；第二介质，其由不同于所述第一介质的材料制成，并按覆盖所述多个电极的方式设置在所述第一介质上；以及第三介质，其导热率高于所述第二介质的导热率，并被设置为接触所述第二介质的上表面以及所述第二介质的侧面的至少一部分。
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公开(公告)号：CN101034879A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710086021.X
申请日：2007-03-07
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/0222 , H03H9/02818
Abstract: 本发明公开一种弹性边界波器件。该弹性边界波器件包括：具有压电性的第一介质；电极，其被设置在所述第一介质上并激发弹性波；第二介质，其由与所述第一介质不同的材料制成并且被设置在所述第一介质上以覆盖所述电极；以及吸声部分，其被设置在所述第二介质上。
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公开(公告)号：CN101087127B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200710108911.6
申请日：2007-06-04
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/0222 , H03H9/02834 , H03H9/02929
Abstract: 本发明提供声界面波器件、谐振器和滤波器。该声界面波器件包括：具有压电性的第一介质；多个电极，其设置在所述第一介质上，并激发声波；第二介质，其由不同于所述第一介质的材料制成，并按覆盖所述多个电极的方式设置在所述第一介质上；以及第三介质，其导热率高于所述第二介质的导热率，并被设置为接触所述第二介质的上表面以及所述第二介质的侧面的至少一部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100527613C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200710085821.X
申请日：2007-02-28
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/0222 , H03H9/02559 , H03H9/14541 , H03H9/6483
Abstract: 本发明公开了一种弹性边界波器件、谐振器以及滤波器。所述弹性边界波器件包括：LiNbO3基板；设置在所述基板上并激励弹性波的电极；以及设置在所述基板上以覆盖所述电极的二氧化硅膜，并且所述弹性边界波器件的参数具有范围中的任意一个，其中，“θ”为所述基板的旋转Y切割角，“a”为铜密度与用作所述电极的材料的密度之比，“λ”为由所述电极激励的弹性波的波长，“h”为所述电极的膜厚度，“H”为所述二氧化硅膜的厚度。
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公开(公告)号：CN100521529C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200510002436.5
申请日：2005-01-20
Applicant: 富士通媒体部品株式会社
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H03H9/02771 , H03H9/02905 , H03H9/643 , H03H9/725
Abstract: 本发明提供了一种表面声波器件，其允许在单个芯片上形成多个表面声波滤波器，并可以实现进一步的小型化。该表面声波器件包括：压电基板、形成在压电基板上的第一表面声波谐振器、以及沿第一表面声波谐振器的表面声波传播方向形成在压电基板上的第二表面声波谐振器。在压电基板上形成第一和第二表面声波谐振器的位置在表面声波传播区中表现为至少部分重合的关系，该表面声波传播区是通过假想地延伸第一和第二表面声波谐振器的各个开口而限定的。该表面声波器件还包括相位控制部分，其用于将重合的表面声波传播区划分为上半部分和下半部分，并用于使由第一表面声波谐振器传播的表面声波的相位在如此划分的上半区和下半区中表现为互为反相的关系。
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公开(公告)号：CN100505536C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200610082658.7
申请日：2006-05-24
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
IPC: H03H9/64
CPC classification number: H03H9/568 , H03H9/6483 , H03H9/6493 , H03H9/706 , H03H9/725
Abstract: 本发明提供了一种声波滤波器和声波双工器。该声波滤波器包括：梯型滤波器，具有按串联支路和并联支路连接的声波谐振器；电感器，设置在地与所述梯型滤波器的并联支路谐振器中的至少一个之间；以及谐振电路，与电感器并联设置，并且位于地与梯型滤波器中的并联支路谐振器之间。在该声波滤波器中，谐振电路的谐振频率表示为：2f0-150MHz＜fr＜2f0+150MHz或3f0-150MHz＜fr＜3f0+150MHz，其中，fr表示谐振频率，而f0表示梯型滤波器的通带频率。由此构成的声波滤波器能够限制通带附近的衰减的减小，并且可以增大高频下的衰减。
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公开(公告)号：CN101150302A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710153441.5
申请日：2007-09-19
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/02559 , H03H9/0057 , H03H9/02574 , H03H9/02929 , H03H9/14538 , H03H9/6469
Abstract: 本发明涉及声波器件和滤波器。所述声波器件包括压电基板，在所述压电基板上形成的第一介电膜，以及在所述第一介电膜上设置的并且激发声波的多个电极，所述电极包括多个电极指。在所述电极指中的相邻电极指之间，所述第一介电膜的至少一部分被切除。
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公开(公告)号：CN101145767A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710149287.4
申请日：2007-09-11
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/02559 , H03H9/0038 , H03H9/0222 , H03H9/02574 , H03H9/6469
Abstract: 本发明公开了声波器件和滤波器。该声波器件包括压电基板、设置在所述压电基板上的第一介电膜、设置在所述第一介电膜上并激发声波的电极，以及设置成覆盖所述电极并且比所述电极更厚的第二介电膜。
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