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发明公开
超结碳化硅半导体装置及超结碳化硅半导体装置的制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN112655096A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201980057211.X

申请日：2019-10-18

Applicant: 富士电机株式会社 , 国立研究开发法人产业技术总合研究所 , 株式会社东芝

Inventor： 小林勇介 , 武井学 , 京极真也 , 原田信介

IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/12

Abstract: 一种超结碳化硅半导体装置具备：第一导电型的碳化硅半导体基板(1)、第一导电型的第一半导体层(2)、重复交替地配置有外延生长的第一导电型的第一柱区(31)和离子注入的第二导电型的第二柱区(30)的并列pn区(33)、第二导电型的第二半导体层(16)、第一导电型的第一半导体区(17)、沟槽(23)、隔着栅绝缘膜(19)而设置在沟槽(23)的内部的栅电极(20)、以及第一电极(22)。第一柱区的杂质浓度为1.1×1016/cm3以上且5.0×1016/cm3以下。

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