公开(公告)号：CN117253785A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202310422892.3

申请日：2023-04-19

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 桥本孝一 ,  田中俊介 ,  高桥裕也

IPC: H01L21/288 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供能够提高成品率的半导体装置的制造方法。在肋状的半导体晶片的背面的整个面粘贴背面保护带。接着，仅在半导体晶片的外周部的背面平坦部上的背面保护带的基材层的表面形成微小的凹凸。接着，在半导体晶片的外周部，以从正面遍及到背面的方式粘贴外周保护带。通过外周保护带的粘接剂层埋入背面保护带的基材层的表面的凹凸所带来的锚固效果，提高背面保护带与外周保护带之间的紧贴性，外周保护带的紧贴性在半导体晶片的正面侧和背面侧大致相同。然后，依次进行带退火、对半导体晶片的正面电极的镀覆处理、外周保护带的剥离和背面保护带的剥离。

公开(公告)号：CN113937000A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202110563739.3

申请日：2021-05-24

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 高桥裕也 ,  田中俊介 ,  桥本孝一

IPC: H01L21/288 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供能够提高生产率的半导体装置的制造方法。在半导体晶片的背面粘贴第一带(背面带)，利用第二带覆盖半导体晶片的背面电极。在半导体晶片的外周部粘贴第二带(外周带)，利用第二带覆盖半导体晶片的端部。第一带和第二带是UV带。在40℃以上的温度对处于粘贴有第一带和第二带的状态的半导体晶片进行加热，半导体晶片与第一带和第二带之间的粘接力变大。在粘贴有第一带和第二带的状态下对半导体晶片进行镀覆处理，在半导体晶片的正面电极上形成镀层。依次剥离第二带、第一带。因为通过UV照射使粘接剂层硬化后剥离第一带和第二带，所以粘接剂层不会残留在半导体晶片表面。

公开(公告)号：CN114496723A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111010417.2

申请日：2021-08-31

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 桥本孝一 ,  田中俊介 ,  高桥裕也

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法和热板。提高保护薄膜对半导体晶圆的密合性，并且提高生产率。半导体装置(1)的制造方法包括：对半导体晶圆(1)的背面中央进行磨削而在半导体晶圆的外周缘形成厚度比中央厚的环状的肋部(11)的肋部形成工序；在半导体晶圆的背面粘贴第1保护薄膜(14)的背面薄膜粘贴工序；以覆盖第1保护薄膜的外周缘和肋部的外周的方式粘贴第2保护薄膜(15)的外周薄膜粘贴工序；使半导体晶圆的背面与热板的加热面相对配置而利用热板(2)直接加热第1保护薄膜和第2保护薄膜的加热工序；以及对半导体晶圆的表面施加镀敷处理的镀敷工序。