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公开(公告)号：CN120034174A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202411481131.6
申请日：2024-10-23
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 赤羽正志
IPC: H03K19/003 , H03K19/094 , H03K19/20
Abstract: 本发明提供一种驱动装置，其是功率半导体的驱动装置，具备：第一电路；第二电路；状态信号生成部，其生成利用多个比特的数字量来表示第一电路的状态的第一状态信号；以及通信控制部，其基于表示所述功率半导体的导通关断的转变时刻的负载状态信号来控制所述第一电路输出所述第一状态信号的输出期间。
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公开(公告)号：CN109074338B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201780021537.8
申请日：2017-08-24
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 赤羽正志
IPC: G06F13/38
Abstract: 提供可以从外部的控制装置侧简易地切换电路装置主体的工作模式的简易结构的集成电路装置。具备：电路装置主体，其执行预定的处理功能；通信控制电路，其与外部的控制装置之间进行数据通信；以及工作模式确定电路，其将所述电路装置主体的工作模式择一地确定为执行所述处理功能的通常模式或设定所述处理功能的执行条件的调试模式。特别地，特征在于，所述工作模式确定电路按照内部时钟而工作，且在由复位电路进行的复位工作解除后，按照与所述控制装置之间进行数据通信的特定的一个通信信号的逻辑状态来生成确定电路装置主体的工作模式的工作模式输出值。
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公开(公告)号：CN112821724A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011023252.8
申请日：2020-09-25
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 赤羽正志
IPC: H02M1/08
Abstract: 本发明提供一种开关控制电路，即使在高电压侧的电压发生了变动时，也能输出适当的控制信号。开关控制电路是对用于驱动负载的桥接电路的开关元件的开关进行控制的开关控制电路，包括：控制电路，其基于用于使所述开关元件导通的置位信号将用于使所述开关元件导通的第1逻辑电平的控制信号输出至所述信号线路，并基于用于使所述开关元件截止的重置信号将用于使所述开关元件截止的第2逻辑电平的所述控制信号输出至所述信号线路；设定电路，其在所述重置信号输入至所述控制电路后，在所述置位信号输入至所述控制电路之前的期间内将所述信号线路的逻辑电平设定为所述第2逻辑电平；以及驱动电路，其基于所述控制信号来驱动所述开关元件。
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公开(公告)号：CN107078733B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201680002993.3
申请日：2016-02-03
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 赤羽正志
IPC: H03K17/16 , H03K17/687 , H03K19/0175 , H03K19/0185
Abstract: 在驱动电路中防止误动作。驱动电路的置位侧电平转换电路和复位侧电平转换电路各自具有输入晶体管、和包括串联连接的第一MOS晶体管和第二MOS晶体管的串联晶体管部，第一MOS晶体管彼此互补动作，驱动电路还具有将置位电位的电平与对应于基准电位的阈值进行比较，从而控制复位侧的第二MOS晶体管的置位侧缓冲器、和将复位电位的电平与对应于基准电位的阈值进行比较，从而控制置位侧的第二MOS晶体管的复位侧缓冲器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109983679A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201880003973.7
申请日：2018-04-02
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 赤羽正志
Abstract: 控制装置(41)、(42)具备电流检测部(10)，其检测与流过半导体元件(D1)、(D2)的电流相对应的感测电流；瞬态感测期间检测部(20)，其根据半导体元件的导通而检测感测电流的检测信号的瞬时的从上升到下降的瞬态感测期间；以及控制部，其基于感测电流的检测信号，进行与瞬态感测期间的检测结果相对应的半导体元件的控制。通过利用瞬态感测期间检测部来检测瞬态感测期间，并利用控制部基于感测电流的检测信号进行与瞬态感测期间的检测结果相对应的半导体元件的控制，从而能够根据瞬态感测期间的感测电流的瞬态响应检测结果来判断过电流而主动保护半导体元件。
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公开(公告)号：CN105940607B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201580004052.9
申请日：2015-05-25
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 赤羽正志
Abstract: 在具备以第一电位(VS)作为基准电位进行动作的第一电路(10：高侧电路)和以与上述第一电位(VS)不同的第二电位(GND)作为基准电位进行动作的第二电路(20：低侧电路)的半导体装置中，可靠地检测出对上述第一电路(10)施加有负电压的情况。在上述高侧电路(10)设置电流源(13)。该电流源(13)向上述低侧电路(20)供给电流(I‑BIAS)，根据上述第一电位(VS)相对于上述第二电位(GND)是否变为负电压而使上述电流(I‑BIAS)变化。另外，在上述低侧电路(20)设置负电压检测电路(25)。该负电压检测电路(25)监视从上述电流源(13)供给的电流(I‑BIAS)的变化来检测出对上述高侧电路(10)施加有负电压的情况。
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公开(公告)号：CN107925345A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201780002781.X
申请日：2017-01-04
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 赤羽正志
IPC: H02M1/08
Abstract: 具备介由二极管而在低侧开关元件导通时被充电，并使该充电电压在低侧开关元件关断时施加到高侧驱动电路的自举电容器、在低侧开关元件关断时进行充电的辅助自举电容器、规定该辅助自举电容器的充电电压的齐纳二极管、在高侧开关元件导通时自举电容器的充电电压下降到比预定电压低时，介由开关电路将辅助自举电容器的充电电压施加到高侧驱动电路的控制电路。
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公开(公告)号：CN105190866B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201480013563.2
申请日：2014-09-01
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H03K17/56 , H03K19/0175
Abstract: 本发明提供一种能防止因负电压浪涌引起的高侧栅极驱动电路的误动作的半导体装置。在成为半导体层的p型块状基板(101)和第1电位(GND电位)之间连接有二极管(128)，从成为第1半导体区域的n扩散区域(102)中形成的控制电路(136)通过第1电平下拉电路(139)及第1电平上拉电路(140)向成为第2半导体区域的n扩散区域(103)中形成的高侧栅极驱动电路(137)传输信号，从而能防止因负电压浪涌引起的高侧栅极驱动电路(137)的误动作。
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公开(公告)号：CN104025454B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201280062352.9
申请日：2012-12-04
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 赤羽正志
IPC: H03K17/0412 , H03K17/0812 , H03K17/26 , H03K19/0185
CPC classification number: H03K19/018521 , H02M7/538 , H02M2001/0054 , H03K3/012 , H03K3/013 , H03K17/04123 , H03K17/08122 , H03K17/26 , H03K19/018528 , H03K2217/0063 , H03K2217/0081 , Y02B70/1491
Abstract: 为了降低用于防止因构成半桥的高电位侧开关元件(XD1)的dV/dt噪声而导致误动作的电路中的信号传送的延迟，在输出用于驱动高电位侧开关元件的置位信号、复位信号的脉冲产生单元(40)中，在作为用于使高电位侧开关元件为导通状态或非导通状态的主脉冲信号的置位信号或复位信号中的任一方接通的期间，从该主脉冲信号的上升起经过一定时间后使另一方的信号接通，生成使置位信号及复位信号双方均接通的状态。
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