公开(公告)号：CN117712153A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311086483.7

申请日：2023-08-28

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 河野凉一 ,  窪内源宜

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法。能够抑制具有接触沟槽的构造中的栅极阈值电压的偏差。具备：第一导电型的半导体基板；绝缘栅型电极构造，其被埋入到设置于半导体基板的第一沟槽；第二导电型的基极区，其以与第一沟槽相接的方式设置于半导体基板；第一导电型的第一主电极区，其以与第一沟槽相接的方式设置于基极区的上部；第二导电型的多晶硅膜，其被埋入到设置于半导体基板的第二沟槽，且与基极区相接，第二导电型的多晶硅膜的杂质浓度比基极区的杂质浓度高；以及第二主电极区，其设置于半导体基板的下表面侧。

公开(公告)号：CN116613160A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310003905.3

申请日：2023-01-03

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 窪内源宜

IPC: H01L27/07 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 提供一种半导体装置和半导体装置的制造方法。在层间绝缘膜的接触孔的底部形成硅化物层的情况下，能够在接触孔内良好地形成金属膜。具备：半导体基板；设置于半导体基板的上表面侧的多个沟槽；埋入到多个沟槽的内侧的绝缘栅型电极构造(6、7)；层间绝缘膜(20)，其设置于半导体基板和绝缘栅型电极构造(6、7)的上表面；以及硅化物层(31)，其设置于贯通层间绝缘膜(20)的接触孔(20a)的底部，与半导体基板的夹在相邻的沟槽(11)之间的上表面相接，其中，硅化物层(31)的下表面(31a)的至少一部分位于比层间绝缘膜(20)的下表面(20b)靠上侧的位置。

公开(公告)号：CN107370369A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201710183033.8

申请日：2017-03-24

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 窪内源宜 ,  侯昊

IPC: H02M3/155

CPC classification number: H02M7/537 ,  H02M1/32 ,  H02M3/156 ,  H02M3/158 ,  H02P27/06 ,  H02P2201/09 ,  H02M3/155

Abstract: 本发明提供一种升压斩波电路，其防回流二极管电路具有在开关元件电路的两端之间与防回流二极管电路串联连接的电容器电路的耐压以上的耐压。

公开(公告)号：CN107196504A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710058268.4

申请日：2017-01-23

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 窪内源宜 ,  侯昊

IPC: H02M3/155

CPC classification number: H02M3/158 ,  H01L25/00 ,  H02M7/003 ,  H02M7/537 ,  H02M2001/007 ,  H02M3/155

Abstract: 本发明提供一种升压斩波电路，该升压斩波电路构成为收纳开关元件电路的第一半导体封装体的多个第一安装部彼此之间的间隔与收纳防回流二极管电路的第二半导体封装体的多个第二安装部彼此之间的间隔不同。

公开(公告)号：CN107196503A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710058154.X

申请日：2017-01-23

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 彦根修 ,  窪内源宜

IPC: H02M3/155 ,  H02M3/156

CPC classification number: H02M3/156 ,  H01L25/162 ,  H02M3/00 ,  H02M3/158 ,  H02M3/155 ,  H02M2001/0048 ,  H02M2001/0051

Abstract: 本发明提供一种降压斩波电路，其收纳开关元件电路的第一半导体封装体的多个第一安装部彼此之间的间隔与收纳防回流二极管电路的第二半导体封装体的多个第二安装部彼此之间的间隔不同。

公开(公告)号：CN106469980A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201610538671.2

申请日：2016-07-11

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 牧野亮平 ,  窪内源宜 ,  露木正年

IPC: H02M3/155

Abstract: 本发明提供一种直流－直流转换装置，在开关元件发生短路故障时抑制电容器电压持续上升，能够安全使用低耐压的开关元件或电容器。包括：开关元件(5、6)的串联电路；电容器(8、10)的串联电路；分别连接到两串联电路的各两端之间的二极管(7、9)；由直流电源(1)、断路器(2)及电抗器(3、4)构成的串联电路；以及控制电路从电容器串联电路的两端输出，控制电路(20)在推断出开关元件(6)发生短路故障时，在断路器(2)断开以前使开关元件(5)导通，在推断出开关元件(5)发生短路故障时，在断路器(2)断开以前使开关元件(6)导通，从而抑制起因于短路故障的过电压。(20)，通过斩波动作使直流电源1的电压升压后

公开(公告)号：CN107196504B

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN201710058268.4

申请日：2017-01-23

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 窪内源宜 ,  侯昊

IPC: H02M3/155

Abstract: 本发明提供一种升压斩波电路，该升压斩波电路构成为收纳开关元件电路的第一半导体封装体的多个第一安装部彼此之间的间隔与收纳防回流二极管电路的第二半导体封装体的多个第二安装部彼此之间的间隔不同。

公开(公告)号：CN107370369B

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201710183033.8

申请日：2017-03-24

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 窪内源宜 ,  侯昊

IPC: H02M3/155

Abstract: 本发明提供一种升压斩波电路，其防回流二极管电路具有在开关元件电路的两端之间与防回流二极管电路串联连接的电容器电路的耐压以上的耐压。

公开(公告)号：CN106469980B

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201610538671.2

申请日：2016-07-11

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 牧野亮平 ,  窪内源宜 ,  露木正年

IPC: H02M3/155

Abstract: 本发明提供一种直流－直流转换装置，在开关元件发生短路故障时抑制电容器电压持续上升，能够安全使用低耐压的开关元件或电容器。包括：开关元件(5、6)的串联电路；电容器(8、10)的串联电路；分别连接到两串联电路的各两端之间的二极管(7、9)；由直流电源(1)、断路器(2)及电抗器(3、4)构成的串联电路；以及控制电路(20)，通过斩波动作使直流电源1的电压升压后从电容器串联电路的两端输出，控制电路(20)在推断出开关元件(6)发生短路故障时，在断路器(2)断开以前使开关元件(5)导通，在推断出开关元件(5)发生短路故障时，在断路器(2)断开以前使开关元件(6)导通，从而抑制起因于短路故障的过电压。

公开(公告)号：CN107370370B

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN201710183034.2

申请日：2017-03-24

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 窪内源宜 ,  侯昊

IPC: H02M3/155 ,  H02M1/32

Abstract: 本发明提供一种升压斩波电路，其开关元件电路中的至少一部分元件的耐压比在开关元件电路的两端之间与防回流二极管电路串联连接的电容器电路的耐压低。