公开(公告)号：CN113903714A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202110744043.0

申请日：2021-07-01

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 加藤辽一 ,  浅井竜彦 ,  白田健人

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。半导体装置(100)具备半导体模块(10)、冷却器(30)以及配置于半导体模块(10)与冷却器(30)的载置面之间的导热片(20)。半导体模块(10)具有布线基板(2)、包含层叠基板(5A、5B)的半导体组件(6A、6B)以及密封部(11)，其中，层叠基板(5A、5B)上安装有半导体元件(1)。导热片(20)与层叠基板(5A、5B)的底面接触。导热片(20)具有与第二导电性板(53)的外缘的至少一部分对应的凹部(20a、20b)。第二导电性板(53)设置于层叠基板(5A、5B)的底部。

公开(公告)号：CN109427721B

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN201810694822.2

申请日：2018-06-29

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 市川幸治 ,  白田健人

IPC: H01L23/488

Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法，所述半导体装置具备：连接端子，其电连接于半导体芯片；母线，其具有供连接端子贯通的开口；以及熔融部分，其从连接端子的上部一直设置到母线的上表面且包含接合部分，所述连接端子的上部通过贯通母线的开口而位于比母线的上表面靠上的位置。

公开(公告)号：CN109427721A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810694822.2

申请日：2018-06-29

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 市川幸治 ,  白田健人

IPC: H01L23/488

Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法，所述半导体装置具备：连接端子，其电连接于半导体芯片；母线，其具有供连接端子贯通的开口；以及熔融部分，其从连接端子的上部一直设置到母线的上表面且包含接合部分，所述连接端子的上部通过贯通母线的开口而位于比母线的上表面靠上的位置。