公开(公告)号：CN109427721A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810694822.2

申请日：2018-06-29

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 市川幸治 ,  白田健人

IPC: H01L23/488

Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法，所述半导体装置具备：连接端子，其电连接于半导体芯片；母线，其具有供连接端子贯通的开口；以及熔融部分，其从连接端子的上部一直设置到母线的上表面且包含接合部分，所述连接端子的上部通过贯通母线的开口而位于比母线的上表面靠上的位置。

公开(公告)号：CN109427721B

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN201810694822.2

申请日：2018-06-29

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 市川幸治 ,  白田健人

IPC: H01L23/488

Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法，所述半导体装置具备：连接端子，其电连接于半导体芯片；母线，其具有供连接端子贯通的开口；以及熔融部分，其从连接端子的上部一直设置到母线的上表面且包含接合部分，所述连接端子的上部通过贯通母线的开口而位于比母线的上表面靠上的位置。