公开(公告)号：CN107204363A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201710050026.0

申请日：2017-01-23

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小松卓也 ,  今井文一

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/535 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42356

Abstract: 本发明提供能获得良好元件特性的碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法。在以覆盖层间绝缘膜(8)的方式形成氮化钛膜(9)后，以沿着氮化钛膜(9)上延伸的方式在露出于接触孔(8a)的碳化硅基体(20)的正面上形成第一镍膜(31)。接着通过800℃～1100℃温度的高速热处理(32)使碳化硅基体(20)与第一镍膜(31)反应而形成构成欧姆接触的硅化镍膜。另外通过该高速热处理(32)使氮化钛膜(9)的晶粒变大，使氮化钛膜(9)的晶粒直径为20nm～50nm。由此使氮化钛膜(9)的晶粒间的间隙比高速热处理(32)前的状态窄或消除间隙，因此能抑制镍从第一镍膜(31)侵入到氮化钛膜(9)的柱状晶粒间。