公开(公告)号：CN103384910B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201280003273.0

申请日：2012-02-23

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 中泽治雄 ,  荻野正明 ,  栗林秀直 ,  寺西秀明

IPC: H01L21/324 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/22 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02373 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/228 ,  H01L29/66333

Abstract: 使用从单晶硅锭切割的硅晶片来制造反向阻断IGBT，该硅晶片使用通过切克劳斯基法制成的单晶硅锭作为原材料且以浮动法制成。通过使用热扩散工艺扩散注入硅晶片的杂质来形成用于确保反向阻断IGBT的反向阻断性能的分离层。用于形成分离层的热扩散工艺在惰性气体气氛中在高于或等于1290°C且低于硅的熔点的温度下进行。以此方式，在硅晶片中不发生晶体缺陷，并且可防止反向阻断IGBT中反向击穿电压缺陷或者正向缺陷的发生，且由此提高半导体元件的成品率。

公开(公告)号：CN103384910A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201280003273.0

申请日：2012-02-23

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 中泽治雄 ,  荻野正明 ,  栗林秀直 ,  寺西秀明

IPC: H01L21/324 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/22 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02373 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/228 ,  H01L29/66333

Abstract: 使用从单晶硅锭切割的硅晶片来制造反向阻断IGBT，该硅晶片使用通过切克劳斯基法制成的单晶硅锭作为原材料且以浮动法制成。通过使用热扩散工艺扩散注入硅晶片的杂质来形成用于确保反向阻断IGBT的反向阻断性能的分离层。用于形成分离层的热扩散工艺在惰性气体气氛中在高于或等于1290°C且低于硅的熔点的温度下进行。以此方式，在硅晶片中不发生晶体缺陷，并且可防止反向阻断IGBT中反向击穿电压缺陷或者正向缺陷的发生，且由此提高半导体元件的成品率。