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公开(公告)号:CN103890934B
公开(公告)日:2016-11-30
申请号:CN201280050671.8
申请日:2012-09-12
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明实现稳定的焊接性,防止连接不良的产生。半导体装置(1)包括绝缘基板(11)和外围壳体(20)。绝缘基板(11)安装有半导体元件(12)。外围壳体(20)收容绝缘基板(11)。外围壳体(20)的侧壁(20a、20b)上设有两端固定的金属制的端子条(30),端子条(30)上设有向绝缘基板(11)一侧突起的端子部(32‑1、32‑2)。端子条(30)的两端上、与绝缘基板(11)相对的面(31a)的相反侧的面(31b)上的、位于外围壳体(20)的侧壁(20a、20b)附近的位置上设有实施了冲压槽加工的冲压槽(33‑1、33‑2)。
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公开(公告)号:CN103890934A
公开(公告)日:2014-06-25
申请号:CN201280050671.8
申请日:2012-09-12
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H01L23/49838 , H01L21/4875 , H01L23/057 , H01L23/49811 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2924/0002 , H05K5/00 , H05K7/06 , H01L2924/00
Abstract: 本发明实现稳定的焊接性,防止连接不良的产生。半导体装置(1)包括绝缘基板(11)和外围壳体(20)。绝缘基板(11)安装有半导体元件(12)。外围壳体(20)收容绝缘基板(11)。外围壳体(20)的侧壁(20a、20b)上设有两端固定的金属制的端子条(30),端子条(30)上设有向绝缘基板(11)一侧突起的端子部(32-1、32-2)。端子条(30)的两端上、与绝缘基板(11)相对的面(31a)的相反侧的面(31b)上的、位于外围壳体(20)的侧壁(20a、20b)附近的位置上设有实施了冲压槽加工的冲压槽(33-1、33-2)。
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