公开(公告)号：CN107408576B

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201680012460.3

申请日：2016-08-08

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 向井弘治 ,  吉田崇一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 从基板背面侧以不同的射程进行多次质子照射，在形成深度不同的第一～第四n型层(10a)～(10d)后，使质子活化。接着，从基板背面向比质子照射的射程更深的位置照射氦，导入晶格缺陷。在调整晶格缺陷量的热处理时，使第四n型层(10d)中未活化的质子扩散，形成在第四n型层(10d)的阳极侧与第四n型层(10d)接触，并且具有伴随着朝向阳极侧而以比第四n型层(10d)更平缓的倾斜来减小的载流子浓度分布的第五n型层(10e)。由包含该质子及氦的第五n型层(10e)、和包含质子的第一～第四n型层(10a)～(10d)构成n型FS层(10)。由此，提供能够提高可靠性并且能够实现低成本化的半导体装置。

公开(公告)号：CN107408576A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680012460.3

申请日：2016-08-08

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 向井弘治 ,  吉田崇一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 从基板背面侧以不同的射程进行多次质子照射，在形成深度不同的第一～第四n型层(10a)～(10d)后，使质子活化。接着，从基板背面向比质子照射的射程更深的位置照射氦，导入晶格缺陷。在调整晶格缺陷量的热处理时，使第四n型层(10d)中未活化的质子扩散，形成在第四n型层(10d)的阳极侧与第四n型层(10d)接触，并且具有伴随着朝向阳极侧而以比第四n型层(10d)更平缓的倾斜来减小的载流子浓度分布的第五n型层(10e)。由包含该质子及氦的第五n型层(10e)、和包含质子的第一～第四n型层(10a)～(10d)构成n型FS层(10)。由此，提供能够提高可靠性并且能够实现低成本化的半导体装置。