公开(公告)号：CN104303269B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201380018024.3

申请日：2013-03-18

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吕民雅 ,  仲俣伸一 ,  木下明将 ,  福田宪司

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 通过溅射由镍、和使镍的磁导率降低并且生成碳化物的金属被调整至给定的组成比而得到的混合体或合金构成的靶，在碳化硅基板(1)上形成欧姆金属膜，通过对欧姆金属膜实施热处理，进行烧成，来制造碳化硅半导体装置的欧姆电极(6)。由此，能制造膜厚均匀、无剥离且能提升靶的使用效率的碳化硅半导体装置的欧姆电极(6)。

公开(公告)号：CN104303269A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201380018024.3

申请日：2013-03-18

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吕民雅 ,  仲俣伸一 ,  木下明将 ,  福田宪司

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 通过溅射由镍、和使镍的磁导率降低并且生成碳化物的金属被调整至给定的组成比而得到的混合体或合金构成的靶，在碳化硅基板(1)上形成欧姆金属膜，通过对欧姆金属膜实施热处理，进行烧成，来制造碳化硅半导体装置的欧姆电极(6)。由此，能制造膜厚均匀、无剥离且能提升靶的使用效率的碳化硅半导体装置的欧姆电极(6)。