公开(公告)号：CN101060081A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200710101312.1

申请日：2007-04-16

Applicant: 富士电机控股株式会社

Inventor： 中村俊一 ,  米泽喜幸

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/049 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

Abstract: 在一种碳化硅半导体器件的制造方法中，包括在碳化硅半导体衬底上形成包含氧化硅作为主要成分的氧化物层的过程，该过程包括以下步骤：在碳化硅半导体衬底的表面上沉积氧化硅层；之后在非氧化气氛中将氧化硅层的温度升高到使氧化硅成为液化态的温度；以及之后将氧化物层快速冷却到等于或小于1140℃的温度，以形成所述包含氧化硅作为主要成分的氧化物层。因此，提供了一种能够通过减小包括氧化硅作为主要成分的氧化绝缘膜和碳化硅半导体衬底之间的界面处的界面态密度来提高沟道迁移率以降低导通电阻的碳化硅半导体器件以及该器件的制造方法。