-
公开(公告)号:CN115093215A
公开(公告)日:2022-09-23
申请号:CN202210693084.6
申请日:2022-06-17
Applicant: 安徽工程大学 , 安徽工业大学 , 中机智能装备创新研究院(宁波)有限公司
IPC: C04B35/46 , H01G4/12 , C04B35/622 , C04B35/49
Abstract: 本发明涉及陶瓷制备技术领域,具体涉及一种Sr+Sb共掺杂TiO2基巨介电陶瓷、制备方法及其应用,采用传统的固相反应法制备了(Sr,Sb)共掺杂(Sr1/3Sb2/3)xTi1‑xO2陶瓷,其中x=0、0.5%、1%、1.5%、2%、4%,研究组分对(Sr1/3Sb2/3)xTi1‑xO2陶瓷微观形貌和介电性能的影响。结果表明,掺杂量对(Sr1/3Sb2/3)xTi1‑xO2陶瓷的微观结构和性能有显著影响,Sr和Sb的掺入显著改善了材料的介电性能,在室温下,当x=2%,频率范围为20Hz‑10MHz时,(Sr,Sb)共掺杂TiO2陶瓷的介电常数大于104,介电损耗小于0.15,而在1kHz时,介电损耗低至0.03,所以本发明有效解决了如何开发具有高介电常数、低介电损耗、稳定温度和频率的介电材料的问题。
-
公开(公告)号:CN114262223A
公开(公告)日:2022-04-01
申请号:CN202111631660.6
申请日:2021-12-29
Applicant: 安徽工业大学 , 中机智能装备创新研究院(宁波)有限公司
Abstract: 本发明涉及介电陶瓷制备技术领域,具体涉及一种In+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷、制备方法及其应用,用闪烧法制备了组成为(In0.5Ta0.5)0.05Ti0.95O2的TiO2基巨介电陶瓷,在快速烧结时,试样置于管式炉中,试样两端连接直流电源提供电场,以10℃/min的加热速率加热,当样品温度达到1200℃时,保持5min后施加450V/cm~600V/cm的电场,初始预设电流为0.5A,当施加电场时,电流每5min增加0.1A直到达到限制电流0.7A,然后关闭直流电源,将样品冷却至室温得到这种In+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷,与常规烧结相比,这种快速烧结方法可将加工时间缩短15倍,烧结温度降低200℃,晶粒尺寸明显更小,组织更均匀。
-
公开(公告)号:CN114349495A
公开(公告)日:2022-04-15
申请号:CN202210011125.9
申请日:2022-01-06
Applicant: 安徽工业大学 , 中机智能装备创新研究院(宁波)有限公司
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , H01C7/112 , H01C7/12 , H01C17/00
Abstract: 本发明涉及半导体材料制备技术领域,具体涉及一种稀土掺杂氧化锌压敏陶瓷、制备方法及其应用,用闪烧法制备了稀土掺杂氧化锌压敏陶瓷,在闪烧时,试样置于管式炉中,试样两端连接直流电源提供电场,以10℃/min的加热速率加热,当样品温度达到950℃时,保持15min后施加150V/cm~300V/cm的电场,初始预设电流为0.5A,当施加电场时,电流每5s增加0.5A直到达到限制电流2.5A,然后关闭直流电源,将样品冷却至室温得到这种稀土掺杂氧化锌压敏陶瓷,与常规烧结相比,这种快速烧结方法可将加工时间缩短15倍,解决了高温下较长的烧结时间会导致氧化锌压敏陶瓷晶粒异常生长,从而导致烧结样品的最终电学性能变差的问题。
-
公开(公告)号:CN112548396B
公开(公告)日:2022-09-27
申请号:CN202011387094.4
申请日:2020-12-02
Applicant: 安徽工业大学 , 中机智能装备创新研究院(宁波)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种含Ga的Cu基合金钎料、钎料的制备方法及进行钎焊的方法,属于超硬磨料工具制备领域。合金钎料包括CuSnTi合金相和Ga增强相,各组分及其质量百分比分别为66~70%的Cu、14~20%的Sn、4~10%的Ti和0~7%的Ga增强相,所述Ga增强相包括Ga及含Ga化合物;采用质量百分比为67~70%的Cu锭,15~20%的Sn锭,5~10%的Ti锭以及0~3%的Ga锭通过真空电弧熔炼获得合金钎料,具有熔点低,低价以及较高的抗剪强度等优点,得到的钎焊制品耐磨性能好。
-
公开(公告)号:CN113458655B
公开(公告)日:2022-05-17
申请号:CN202110746032.6
申请日:2021-07-01
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明涉及钎焊技术领域,具体涉及一种含Hf的多元无硼镍基合金钎料、制备方法及其钎焊方法;这种含Hf的多元无硼镍基合金钎料,包括NiCrSiCuSn合金相和增强相Hf,各组分的质量百分比为51.0%~55.0%的Ni,12.0%~15.0%的Cr,3.0%~5.0%的Si,16.0%~20.0%的Cu,3.0%~5.0%的Sn和0~4%的Hf,通过真空电弧熔炼获得合金钎料,去除B元素,大大提高了钎料的韧性;加入少量Hf元素,在不提高钎焊温度的同时,降低了石墨化、热裂纹等热损伤的问题,减少了脆性相的产生,并提高了钎料对金刚石的把持力,提高了接头的强度和硬度,保证了接头的力学性能。
-
公开(公告)号:CN113458655A
公开(公告)日:2021-10-01
申请号:CN202110746032.6
申请日:2021-07-01
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明涉及钎焊技术领域,具体涉及一种含Hf的多元无硼镍基合金钎料、制备方法及其钎焊方法;这种含Hf的多元无硼镍基合金钎料,包括NiCrSiCuSn合金相和增强相Hf,各组分的质量百分比为51.0%~55.0%的Ni,12.0%~15.0%的Cr,3.0%~5.0%的Si,16.0%~20.0%的Cu,3.0%~5.0%的Sn和0~4%的Hf,通过真空电弧熔炼获得合金钎料,去除B元素,大大提高了钎料的韧性;加入少量Hf元素,在不提高钎焊温度的同时,降低了石墨化、热裂纹等热损伤的问题,减少了脆性相的产生,并提高了钎料对金刚石的把持力,提高了接头的强度和硬度,保证了接头的力学性能。
-
公开(公告)号:CN115093215B
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202210693084.6
申请日:2022-06-17
Applicant: 安徽工程大学 , 安徽工业大学 , 中机智能装备创新研究院(宁波)有限公司
IPC: C04B35/46 , H01G4/12 , C04B35/622 , C04B35/49
Abstract: 本发明涉及陶瓷制备技术领域,具体涉及一种Sr+Sb共掺杂TiO2基巨介电陶瓷、制备方法及其应用,采用传统的固相反应法制备了(Sr,Sb)共掺杂(Sr1/3Sb2/3)xTi1‑xO2陶瓷,其中x=0、0.5%、1%、1.5%、2%、4%,研究组分对(Sr1/3Sb2/3)xTi1‑xO2陶瓷微观形貌和介电性能的影响。结果表明,掺杂量对(Sr1/3Sb2/3)xTi1‑xO2陶瓷的微观结构和性能有显著影响,Sr和Sb的掺入显著改善了材料的介电性能,在室温下,当x=2%,频率范围为20Hz‑10MHz时,(Sr,Sb)共掺杂TiO2陶瓷的介电常数大于104,介电损耗小于0.15,而在1kHz时,介电损耗低至0.03,所以本发明有效解决了如何开发具有高介电常数、低介电损耗、稳定温度和频率的介电材料的问题。
-
公开(公告)号:CN112548396A
公开(公告)日:2021-03-26
申请号:CN202011387094.4
申请日:2020-12-02
Applicant: 安徽工业大学 , 中机智能装备创新研究院(宁波)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种含Ga的Cu基合金钎料、钎料的制备方法及进行钎焊的方法,属于超硬磨料工具制备领域。合金钎料包括CuSnTi合金相和Ga增强相,各组分及其质量百分比分别为66~70%的Cu、14~20%的Sn、4~10%的Ti和0~7%的Ga增强相,所述Ga增强相包括Ga及含Ga化合物;采用质量百分比为67~70%的Cu锭,15~20%的Sn锭,5~10%的Ti锭以及0~3%的Ga锭通过真空电弧熔炼获得合金钎料,具有熔点低,低价以及较高的抗剪强度等优点,得到的钎焊制品耐磨性能好。
-
-
-
-
-
-
-