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公开(公告)号：CN105470968B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201610021565.7
申请日：2016-01-11
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明公开了一种低压配电节电器，属于节电设备领域。该节电器接在配电变压器与用户用电设备之间，节电器的电路部分是由三相绕组及其对应的自耦线圈组成。绕组与自耦线圈构成升压变压器，每相绕组的一端与其对应自耦线圈的一端相连，并与三相配电线的一相相连；每相绕组的另一端与用户用电设备的配电线相连；三相自耦线圈的另一端相互连在一起，并与配电系统的零线相连。该低压配电节电器将多余的电压通过升压变压器反馈回电网，采用的是降压节电和反馈节电的双重节电原理，达到节省电能并延长用电设备的使用寿命的目的。
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公开(公告)号：CN105957898B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201610525827.3
申请日：2016-07-05
Applicant: 安徽工业大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/331 , H01L21/225 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种低功耗4H‑SiC电压控制型功率半导体器件及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。包括外延层与氧化层，其特征在于，外延层表面下有一层氮注入层和三价元素的扩散层，氮注入层的厚度为18‑20nm，三价元素为铝，铝在外延层中的扩散深度为10‑20nm，采用高温扩散工艺将三价元素植入到4H‑SiC外延层，利用干法刻蚀工艺减薄高温工艺所生长的氧化层，采用离子注入工艺将五价元素氮植入到外延层与氧化层的界面，利用干氧氧化工艺将氧化层生长至所需要的厚度。该方法能降低4H‑SiC电压控制型功率半导体器件的开关损耗，同时能稳定4H‑SiC电压控制型功率半导体器件的阈值电压。
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公开(公告)号：CN105470968A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201610021565.7
申请日：2016-01-11
Applicant: 安徽工业大学
CPC classification number: H02J3/12 , H01F27/24 , H01F27/2828 , H02J3/38
Abstract: 本发明公开了一种低压配电节电器，属于节电设备领域。该节电器接在配电变压器与用户用电设备之间，节电器的电路部分是由三相绕组及其对应的自耦线圈组成。绕组与自耦线圈构成升压变压器，每相绕组的一端与其对应自耦线圈的一端相连，并与三相配电线的一相相连；每相绕组的另一端与用户用电设备的配电线相连；三相自耦线圈的另一端相互连在一起，并与配电系统的零线相连。该低压配电节电器将多余的电压通过升压变压器反馈回电网，采用的是降压节电和反馈节电的双重节电原理，达到节省电能并延长用电设备的使用寿命的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105206513A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510628841.1
申请日：2015-09-28
Applicant: 安徽工业大学
CPC classification number: H01L21/045 , H01L21/0455 , H01L21/046 , H01L29/66068 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了用氮和硼改善4H-SiC MOSFET反型层迁移率的方法，属于微电子技术领域。步骤如下：A、采用离子注入工艺将五价元素氮植入到4H-SiC外延层表面；B、采用湿氧氧化工艺形成栅氧化层；C、采用扩散工艺将三价元素硼植入到外延层与氧化层的界面；扩散工艺的扩散温度为950℃，时间为1.5-2.5小时，确保硼掺杂剂在热动力的驱使下能穿透栅氧化层到达4H-SiC/SiO2界面；硼扩散工艺后，在惰性气体的保护下退火。该方法能大大减小4H-SiC/SiO2的界面态密度、提高4H-SiC MOSFET的反型层迁移率，同时稳定4H-SiC MOSFET的阈值电压。
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公开(公告)号：CN105206513B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201510628841.1
申请日：2015-09-28
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明公开了用氮和硼改善4H‑SiC MOSFET反型层迁移率的方法，属于微电子技术领域。步骤如下：A、采用离子注入工艺将五价元素氮植入到4H‑SiC外延层表面；B、采用湿氧氧化工艺形成栅氧化层；C、采用扩散工艺将三价元素硼植入到外延层与氧化层的界面；扩散工艺的扩散温度为950℃，时间为1.5‑2.5小时，确保硼掺杂剂在热动力的驱使下能穿透栅氧化层到达4H‑SiC/SiO2界面；硼扩散工艺后，在惰性气体的保护下退火。该方法能大大减小4H‑SiC/SiO2的界面态密度、提高4H‑SiC MOSFET的反型层迁移率，同时稳定4H‑SiC MOSFET的阈值电压。
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公开(公告)号：CN105957898A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610525827.3
申请日：2016-07-05
Applicant: 安徽工业大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/331 , H01L21/225 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种低功耗4H‑SiC电压控制型功率半导体器件及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。包括外延层与氧化层，其特征在于，外延层表面下有一层氮注入层和三价元素的扩散层，氮注入层的厚度为18‑20nm，三价元素为铝，铝在外延层中的扩散深度为10‑20nm，采用高温扩散工艺将三价元素植入到4H‑SiC外延层，利用干法刻蚀工艺减薄高温工艺所生长的氧化层，采用离子注入工艺将五价元素氮植入到外延层与氧化层的界面，利用干氧氧化工艺将氧化层生长至所需要的厚度。该方法能降低4H‑SiC电压控制型功率半导体器件的开关损耗，同时能稳定4H‑SiC电压控制型功率半导体器件的阈值电压。
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公开(公告)号：CN205789992U
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201620704125.7
申请日：2016-07-05
Applicant: 安徽工业大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本实用新型公开了一种低功耗4H-SiC电压控制型功率半导体器件，属于高压电力电子技术领域。包括外延层与氧化层，其特征在于，外延层表面下有一层氮注入层和三价元素的扩散层，氮注入层的厚度为18-20nm，三价元素为铝，铝在外延层中的扩散深度为10-20nm，采用高温扩散工艺将三价元素植入到4H-SiC外延层，利用干法刻蚀工艺减薄高温工艺所生长的氧化层，采用离子注入工艺将五价元素氮植入到外延层与氧化层的界面，利用干氧氧化工艺将氧化层生长至所需要的厚度。该方法能降低4H-SiC电压控制型功率半导体器件的开关损耗，同时能稳定4H-SiC电压控制型功率半导体器件的阈值电压。
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公开(公告)号：CN205304250U
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201620031434.2
申请日：2016-01-11
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本实用新型公开了一种低压配电节电器，属于节电设备领域。该节电器接在配电变压器与用户用电设备之间，节电器的电路部分是由三相绕组及其对应的自耦线圈组成。绕组与自耦线圈构成升压变压器，每相绕组的一端与其对应自耦线圈的一端相连，并与三相配电线的一相相连；每相绕组的另一端与用户用电设备的配电线相连；三相自耦线圈的另一端相互连在一起，并与配电系统的零线相连。该低压配电节电器将多余的电压通过升压变压器反馈回电网，采用的是降压节电和反馈节电的双重节电原理，达到节省电能并延长用电设备的使用寿命的目的。
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