公开(公告)号：CN119446218A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202510019409.6

申请日：2025-01-07

Applicant: 安徽大学

Inventor： 蔺智挺 ,  龙淼 ,  戴成虎 ,  李鑫 ,  周永亮 ,  彭春雨 ,  李志刚 ,  吴秀龙 ,  胡薇 ,  卢文娟

IPC: G11C11/4097

Abstract: 本申请涉及一种自启动位单元SRAM写辅助的电路结构、存储阵列和SRAM，其中，该电路结构包括：第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的输入端与所述第一位线连接，所述第二反相器的输入端与所述第二位线连接；第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一NMOS管的栅极与所述第一反相器的输出端连接，所述第一NMOS管的漏极与所述第一位线连接，所述第一NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的栅极与所述第二反相器的输出端连接，所述第二NMOS管的漏极与所述第二位线连接，所述第二NMOS管的源极接地。解决了目前存储阵列外围的写辅助电路会增加SRAM的电路布局难度以及大幅增加电路面积占用的问题。

公开(公告)号：CN119446218B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202510019409.6

申请日：2025-01-07

Applicant: 安徽大学

Inventor： 蔺智挺 ,  龙淼 ,  戴成虎 ,  李鑫 ,  周永亮 ,  彭春雨 ,  李志刚 ,  吴秀龙 ,  胡薇 ,  卢文娟

IPC: G11C11/4097

Abstract: 本申请涉及一种自启动位单元SRAM写辅助的电路结构、存储阵列和SRAM，其中，该电路结构包括：第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的输入端与所述第一位线连接，所述第二反相器的输入端与所述第二位线连接；第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一NMOS管的栅极与所述第一反相器的输出端连接，所述第一NMOS管的漏极与所述第一位线连接，所述第一NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的栅极与所述第二反相器的输出端连接，所述第二NMOS管的漏极与所述第二位线连接，所述第二NMOS管的源极接地。解决了目前存储阵列外围的写辅助电路会增加SRAM的电路布局难度以及大幅增加电路面积占用的问题。