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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119230529B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411738884.0
申请日：2024-11-29
Applicant: 安徽大学 , 合肥晶合集成电路股份有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/66 , H01L21/768
Abstract: 本申请公开了用于金属填充质量检测的测试结构和测试方法，该测试结构包括多个测试单元，测试单元包括第一金属层、第二金属层和金属连接通道，其中，第一金属层和第二金属层通过金属连接通道连接；第二金属层位于第一金属层的上方，第二金属层和金属连接通道通过金属填充一体成形且采用电化学电镀工艺进行金属填充；不同的测试单元中第二金属层的周长不同，通过测试单元电阻值的测试来检测不同的测试单元中金属填充的质量。本申请通过改进测试结构实现了多种具有不同金属填充质量的工艺窗口的同时检测，从而能够较为便捷地确定采用电化学电镀工艺进行金属填充时的最优窗口。
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公开(公告)号：CN118919492B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411405923.5
申请日：2024-10-10
Applicant: 安徽大学 , 合肥晶合集成电路股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制作方法及半导体器件，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供一衬底，衬底内形成多个浅沟槽隔离结构；在衬底上形成有多个第一栅极结构，在浅沟槽隔离结构上形成间隔设置的两个第二栅极结构；在第一栅极结构、第二栅极结构、衬底和浅沟槽隔离结构上形成保护层；刻蚀第一栅极结构和衬底上的部分保护层；再去除第一栅极结构和衬底上的保护层，同时去除第二栅极结构和浅沟槽隔离结构上的部分保护层；在第一栅极结构两侧的衬底内形成西格玛沟槽并形成应变结构；去除保护层，在衬底上依次形成接触孔刻蚀停止层和层间介质层。通过本发明提供的半导体器件的制作方法及半导体器件，能够提高半导体器件良率和性能。
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公开(公告)号：CN119230529A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411738884.0
申请日：2024-11-29
Applicant: 安徽大学 , 合肥晶合集成电路股份有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/66 , H01L21/768
Abstract: 本申请公开了用于金属填充质量检测的测试结构和测试方法，该测试结构包括多个测试单元，测试单元包括第一金属层、第二金属层和金属连接通道，其中，第一金属层和第二金属层通过金属连接通道连接；第二金属层位于第一金属层的上方，第二金属层和金属连接通道通过金属填充一体成形且采用电化学电镀工艺进行金属填充；不同的测试单元中第二金属层的周长不同，通过测试单元电阻值的测试来检测不同的测试单元中金属填充的质量。本申请通过改进测试结构实现了多种具有不同金属填充质量的工艺窗口的同时检测，从而能够较为便捷地确定采用电化学电镀工艺进行金属填充时的最优窗口。
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公开(公告)号：CN117976526A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410134992.0
申请日：2024-01-31
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/324 , C30B25/02 , C30B33/02 , C30B29/52
Abstract: 本发明公开了一种硅锗外延层的形成方法，包括以下步骤：步骤S1：根据半导体工艺对晶片预处理，在晶片的硅衬底开设凹槽；步骤S2：在第一退火工艺下，在凹槽内形成第一硅锗外延层；步骤S3：对步骤S2中的第一硅锗外延层进行第二退火工艺，形成第二硅锗外延层。本发明采用第一退火工艺和第二退火工艺可形成硅锗外延层，得到的硅锗外延层均匀度高，而且成长速度快。
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公开(公告)号：CN118919492A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411405923.5
申请日：2024-10-10
Applicant: 安徽大学 , 合肥晶合集成电路股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H10B10/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制作方法及半导体器件，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供一衬底，衬底内形成多个浅沟槽隔离结构；在衬底上形成有多个第一栅极结构，在浅沟槽隔离结构上形成间隔设置的两个第二栅极结构；在第一栅极结构、第二栅极结构、衬底和浅沟槽隔离结构上形成保护层；刻蚀第一栅极结构和衬底上的部分保护层；再去除第一栅极结构和衬底上的保护层，同时去除第二栅极结构和浅沟槽隔离结构上的部分保护层；在第一栅极结构两侧的衬底内形成西格玛沟槽并形成应变结构；去除保护层，在衬底上依次形成接触孔刻蚀停止层和层间介质层。通过本发明提供的半导体器件的制作方法及半导体器件，能够提高半导体器件良率和性能。
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