公开(公告)号：CN115636668B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202211457631.7

申请日：2022-11-21

Applicant: 安徽大学

Inventor： 葛炳辉 ,  徐锐 ,  李周 ,  宋吉明 ,  李其柱 ,  杨晓玉 ,  梁小龙

IPC: H10N10/852 ,  C04B35/547 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种位错增强型BiCuSeO基热电材料及其制备方法，属于新能源转换技术领域。采用真空固相烧结法结合快速热压工艺，以Bi2O3，Bi，Cu，Se，PbO粉末作为原料，按照Bi1‑yPbyCu1‑zSe1+xO1‑x（0.01≤x≤0.05，0≤y≤0.06，0≤z≤0.05）化学计量比称取原料，研磨充分且混合均匀。将混合原料真空封装于石英管中，再通过井式炉高温固相烧结、降温、研磨产物获得Bi1‑yPbyCu1‑zSe1+xO1‑x粉末热电材料，将粉末材料在合适的压力和温度下进行热压烧结得到Bi1‑yPbyCu1‑zSe1+xO1‑x块体热电材料。本发明制备的热电材料在引入Se@O自掺杂后，生成高密度位错结构，热导率得到大幅降低。同时，Pb掺杂和Cu空位使得电导率得到显著提升，并维持高的塞贝克系数，从而表现出良好的热电性能。本发明也为氧化物热电体系的位错设计和构筑提供了良好的启发。

公开(公告)号：CN115636668A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202211457631.7

申请日：2022-11-21

Applicant: 安徽大学

Inventor： 葛炳辉 ,  徐锐 ,  李周 ,  宋吉明 ,  李其柱 ,  杨晓玉 ,  梁小龙

IPC: C04B35/547 ,  C04B35/622 ,  H10N10/852

Abstract: 本发明公开了一种位错增强型BiCuSeO基热电材料及其制备方法，属于新能源转换技术领域。采用真空固相烧结法结合快速热压工艺，以Bi2O3，Bi，Cu，Se，PbO粉末作为原料，按照Bi1‑yPbyCu1‑zSe1+xO1‑x（0.01≤x≤0.05，0≤y≤0.06，0≤z≤0.05）化学计量比称取原料，研磨充分且混合均匀。将混合原料真空封装于石英管中，再通过井式炉高温固相烧结、降温、研磨产物获得Bi1‑yPbyCu1‑zSe1+xO1‑x粉末热电材料，将粉末材料在合适的压力和温度下进行热压烧结得到Bi1‑yPbyCu1‑zSe1+xO1‑x块体热电材料。本发明制备的热电材料在引入Se@O自掺杂后，生成高密度位错结构，热导率得到大幅降低。同时，Pb掺杂和Cu空位使得电导率得到显著提升，并维持高的塞贝克系数，从而表现出良好的热电性能。本发明也为氧化物热电体系的位错设计和构筑提供了良好的启发。