公开(公告)号：CN117263664A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311315343.2

申请日：2023-10-11

Applicant: 安徽大学

Inventor： 王刚 ,  严回 ,  胡云峰 ,  章子楚 ,  胡亚丽 ,  刘士龙 ,  任信钢 ,  杨利霞 ,  黄志祥 ,  吴先良

IPC: C04B35/14 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88 ,  C03C6/04 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明公开了一种毫米波超低介低损耗LTCC材料及其制备方法和生瓷带及其制备方法，LTCC材料和生瓷带的原料包括镁锂硼硅玻璃、氧化铝和氧化硅；所述镁锂硼硅玻璃的原料包括氧化镁、碳酸锂、氧化硼和氧化硅，且所述氧化镁、碳酸锂、氧化硼和氧化硅的质量比为10～20：10～20：20～30：30～60。本发明制备的LTCC材料和生瓷带的相对介电常数εr在3.2～4.8之间，介电损耗小于等于0.001，抗弯强度为180‑200MPa，这将有助于降低在高频下电磁信号的传输损耗和增大信号传输速度。同时，本发明可在820～900℃下进行低温烧结，与Ag共烧匹配，有好的化学兼容性。

公开(公告)号：CN117362032A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311295759.2

申请日：2023-10-07

Applicant: 安徽大学

Inventor： 严回 ,  王刚 ,  吴博 ,  任信钢 ,  杨利霞 ,  黄志祥 ,  吴先良

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种温度稳定型低损耗低温共烧陶瓷材料及其制备方法，陶瓷材料的原料包括主晶相、次晶相和低熔点氧化物；主晶相为纯相Li3Mg2NbO6，次晶相为金红石型结构TiO2，低熔点氧化物为V2O5；次晶相的质量占所述主晶相质量的0.5wt％～4wt％；低熔点氧化物的质量占所述主晶相质量的0.5wt％～3wt％。本发明提供的陶瓷材料中，金红石型TiO2能提升温度稳定性，并在晶粒生长过程中起到钉扎效应，低熔点V2O5和陶瓷基体间不发生化学反应，保证了物相的可控性，得到的陶瓷材料在800℃～950℃烧结良好，能与银电极共烧。同时降低了烧结温度，提高了陶瓷的致密度，优化了微观形貌，具有优异的介电性能。