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公开(公告)号：CN119008358A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411228716.7
申请日：2024-09-03
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
IPC: H01J23/04
Abstract: 本发明提供一种新型回旋管用阴极，包括阴极上端盖，所述阴极上端盖底部连接阴极下端盖，所述阴极上端盖与阴极下端盖内设有隔离层，所述隔离层内设有主阴极，所述主阴极外侧设有环形发射带，所述阴极下端盖底部设有辅阴极，所述辅阴极与所述主阴极之间设有电子束约束热屏，用来解决目前六硼化镧阴极直接加热较为困难的技术问题。
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公开(公告)号：CN115942585A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211711099.7
申请日：2022-12-29
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明涉及等离子体应用技术领域，具体来说是一种电弧等离子体用气密电极结构，包括法兰组件、底盖组件以及电极组件；所述法兰组件通过桥接组件与底盖组件相连接，所述电极组件连接在底盖组件上；本发明公开了一种电弧等离子体用气密电极结构；本发明通过法兰组件、底盖组件、电极组件以及桥接组件的配合使用，不仅可以保证电弧等离子体炬的正常功能使用，同时又确保焊缝为真空气密焊缝，防止在电极支杆螺纹处漏气；也就是既确保了电弧等离子体的形成，又大大提高了电弧等离子体试验的准确性、精确性。
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公开(公告)号：CN119252596A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411444465.6
申请日：2024-10-16
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
IPC: H01F7/02
Abstract: 本发明提供一种用于高强度磁场磁系统调节的定位工装，包括对称设置的支撑粱，所述支撑粱内侧连接第一固定粱，所述第一固定粱中部设有升降螺杆，所述升降螺杆上匹配连接调节螺母，所述调节螺母底部设有第二固定粱，所述调节螺母位于所述第一固定粱与第二固定粱形成的空间内，所述支撑粱底部连接磁系统固定件，所述升降螺杆底部连接器件固定件,用来解决目前越来越多的高强度磁场应用于微波电真空器件当中，磁场产生的强大磁作用力使真空器件的调试安装愈发困难，并且伴有一定安全风险的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119354515A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411430442.X
申请日：2024-10-14
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Inventor： 靳通 , 查放 , 席洪柱 , 俞畅 , 朱刚 , 张瑞琦 , 谷文伟 , 谢智能 , 胡显青 , 夏静 , 袁琪 , 陈雪 , 汪进 , 郑君 , 王芮 , 白卫星 , 刘煜文 , 曹振玲 , 汪琨
IPC: G01M13/00 , B08B3/12 , B08B3/08 , G01M3/28 , G01F1/00 , G01R31/68 , G01R31/00 , G01R27/02 , G01N21/88 , G01M7/02 , G01N33/00
Abstract: 本发明公开了一种比例阀的装配测试方法，包括如下步骤：步骤一、对比例阀的零部件进行集件、对集件所得的所述零部件进行第一清洗和对有配合关系的零部件进行预安装；其中所述预安装包括对零部件的配合精度进行检测的动作试验；步骤二、对所述零部件进行功能检测，功能检测完成后装配所述比例阀；步骤三、对完成装配的所述比例阀进行初检，对初检合格的所述比例阀进行第一次存储；步骤四、对第一次存储的所述比例阀进行可靠性检测。通过这种方式，能够提前发现比例阀零件的装配精度问题，避免装配完成后再对比例阀进行返工，降低了对比例阀的维修困难度，而且能够提高比例阀的检测合格率。
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公开(公告)号：CN119030472A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411141050.1
申请日：2024-08-20
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明公开了一种提高GaN功率放大器线性度的电路结构，所述电路结构包括：有源偏置电路和预失真线性化电路；其中，所述有源偏置电路的输出端与功率放大器电路的偏置信号输入端相连，以用于为所述功率放大器电路摒除输入信号的电压波动以及为其提供偏置电压；所述预失真线性化电路的输出端也与功率放大器电路的输入端相连。该电路机构在使用时，克服现有技术中的功率放大器存在的线性度提升效果有限、设计复杂度高、成本高及高功率应用中效果不稳定的问题。
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公开(公告)号：CN119028968A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411141051.6
申请日：2024-08-20
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高可靠性功率放大器MMIC结构及其制作方法，其中，所述结构包括：设置在电路板上的第一晶体管和第二晶体管；其中，若干个第一晶体管等间距设置以形成第一晶体管排，若干个第二晶体管也等间距以形成第二晶体管排，所述第一晶体管排与所述第二晶体管排平行，且两者交叉设置，以使得相邻的两个第一晶体管的中线下方位置设置有一个第二晶体管；每个第一晶体管和每个第二晶体管通过功率合成网络相连，以保证合成时的相位一致性。该结构在使用时，克服现有技术中功率放大器MMIC晶体管布局引起的性能减退问题。
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公开(公告)号：CN116528504A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202211542202.X
申请日：2022-12-02
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明公开了传感器加工技术领域的一种温湿度传感器的加工方法，所述加工方法包括以下步骤：在主板正反面上烧结元器件；在副板背面焊接通信线缆；将副板与结构件粘接；在副板正面焊接元器件；将主板的焊盘与副板的通信线缆焊接；将副板和结构件的组件与金属外壳的腔体粘接；将腔体灌封；加工方法科学简便，生产的产品合格率高，为批量化生产提供了有力保障。能够避免出现输出不稳定超出标准值的问题，较大程度上减小外部环境对其测量精度造成影响。
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公开(公告)号：CN115939710A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211512065.5
申请日：2022-11-29
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明公开了一种平面宽带微波隔直器及其制作方法。该平面宽带微波隔直器包括上腔体、圆形可烧结SMA阳头、下腔体、金丝、微带电路、圆形可烧结SMA阴头、陶瓷电容和芯片电容；其中，上腔体和下腔体设置为能够分别从上下配合成圆柱的半圆柱结构，并且，半圆柱结构的两端分别形成用于安装阳头和阴头的半圆形沉槽；半圆柱结构的矩形面部分均向内凹陷形成铣槽，微带电路固接至下腔体上的铣槽内且两端分别与阳头、阴头相连接；陶瓷电容和芯片电容均固接至微带电路上并通过金丝键合。该平面宽带微波隔直器结构紧凑、集成度高；同时，通用性强，使用方便，性能良好，可扩展应用于各种微波有源电路系统和测试系统。
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