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公开(公告)号：CN111952152B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202010773937.8
申请日：2020-08-04
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种裸芯片封装方法，包括步骤：S1、选择双面胶膜；S2、贴附双面胶膜，形成双面胶封装，使裸芯片处于双面胶封装内；S3、第一次清洗；S4、去除双面胶封装；S5、第二次清洗。本发明的裸芯片封装方法，通过在清洗之前，设置双面胶封装密封裸芯片，双面胶封装对裸芯片起到保护作用，从而可以避免裸芯片清洗过程中受到污染，有助于提高产品质量。
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公开(公告)号：CN115770917A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211657896.1
申请日：2022-12-22
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
IPC: B23K1/008 , B23K3/08 , B23K103/18
Abstract: 本发明公开了镍系铁氧体与钨铜基板焊接领域的一种用于镍系铁氧体与钨铜基板的焊接方法，包括以下步骤：清洗镍系铁氧体和钨铜合金，在100‑150℃烘箱中烘干后，取出降至室温；将镍系铁氧体放入到真空镀膜设备中，在表面镀上金属过渡层；将钨铜合金放入到真空镀膜设备中，在表面镀上铜层；将镍系铁氧体和钨铜合金通过Sn‑Ag合金焊料在真空下进行钎焊，焊接温度为250‑300℃，升温速率为0.5‑3℃/min，保温5‑60min，然后自然冷却到室温。本发明的镍系铁氧体与钨铜合金的焊接方法，在300℃以下可以实现镍系铁氧体与钨铜合金的有效焊接，焊接层的剪切强度大于15MPa，解决了高温钎焊带来的铁氧体破裂以及性能衰减问题，同时降低了钎焊带来的应力问题。
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公开(公告)号：CN111889834A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010640143.4
申请日：2020-07-06
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明公开一种高次模吸收器的新型结构，包括桶状结构的碳化硅、无氧铜环和不锈钢环，由内向外依次套设组装；在无氧铜环外壁和不锈钢环内壁上共同形成用于冷却的环形水路通道，并且，无氧铜环和不锈钢环两端结合面处形成有相配合的焊料槽和定位凸台。其结构简单，体积小，制造容易，强度高，可靠性好，适合批量生产。还公开一种制造方法，包括：a、无氧铜环与碳化硅热装配的可行性论证；b、无氧铜环与不锈钢环的焊接；c、安装吸收器；d、无氧铜环与吸收器装配紧密性检测；e、水路打压检测。该方法简单，结构紧凑，生产成功率高、周期短；同时，生产制造时较少地使用化学药品和金属原材料，降低了生产风险，有利于环境保护。
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公开(公告)号：CN111884604B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202010786793.X
申请日：2020-08-07
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明提供一种大功率微波固态功放供电及保护电路，具有微波固态功放温度检测电路单元、微波固态功放栅压供电电路单元、微波固态功放漏压供电和过压、过流保护电路单元以及微波固态功放漏压供电和过温、供电时序保护电路单元。本发明提供的一种大功率微波固态功放供电及保护电路，可以为微波固态功放供电，且能有效解决大功率微波固态功放过压、过流、过温、加电时序错误时对功放的保护，减少经济损失，提升了功放的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN115988763A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211723416.7
申请日：2022-12-30
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
IPC: H05K3/30
Abstract: 本发明公开了一种Ku波段BUC上变频模块的制作方法，包括如下步骤：S1、将微波电路板烧结到腔体上；S2、将元器件烧结到微波电路板上；S3、将元器件烧结到本振、馈电电路板上；S4、将裸芯片共晶到钼铜载体上；S5、将芯片组件胶接到腔体上；S6、在相应位置上金丝键合；S7、调试、测试、封盖、打标完成制作。本发明的优点在于：采用本方案制作的中BUC上变频模块制作过程简单具有高稳定性、灵敏度高、功率大等优点。生产此BUC上变频模块的工艺巧妙运用热风枪设备解决了同一温度梯度正反两面烧结的工艺难题，此流程科学、简便、可靠适合批量生产。
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公开(公告)号：CN111884604A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010786793.X
申请日：2020-08-07
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明提供一种大功率微波固态功放供电及保护电路，具有微波固态功放温度检测电路单元、微波固态功放栅压供电电路单元、微波固态功放漏压供电和过压、过流保护电路单元以及微波固态功放漏压供电和过温、供电时序保护电路单元。本发明提供的一种大功率微波固态功放供电及保护电路，可以为微波固态功放供电，且能有效解决大功率微波固态功放过压、过流、过温、加电时序错误时对功放的保护，减少经济损失，提升了功放的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN119788010A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411779771.5
申请日：2024-12-05
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明公开了一种S频段低噪放冗余系统，包括第一S频段低噪放、第二S频段低噪放；其中：第一S频段低噪放、第二S频段低噪放用于进行低噪声放大；所述输入开关用于将输入的S频段扫频源信号切换成至第一S频段低噪放、第二S频段低噪放；第一S频段低噪放、第二S频段低噪放对输入的信号进行处理后经输出开关输出S频段输出信号；第一S频段低噪放、第二S频段低噪放在工作时其中一个作为主机，另外一个作为备机；所述中继器分别连接至第一S频段低噪放、第二S频段低噪放、输入开关、输出开关，用以控制输入开关和输出开关的切换状态以及第一S频段低噪放、第二S频段低噪放工作状态。本方案可以实现提高低噪放的工作稳定性。
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公开(公告)号：CN119252596A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411444465.6
申请日：2024-10-16
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
IPC: H01F7/02
Abstract: 本发明提供一种用于高强度磁场磁系统调节的定位工装，包括对称设置的支撑粱，所述支撑粱内侧连接第一固定粱，所述第一固定粱中部设有升降螺杆，所述升降螺杆上匹配连接调节螺母，所述调节螺母底部设有第二固定粱，所述调节螺母位于所述第一固定粱与第二固定粱形成的空间内，所述支撑粱底部连接磁系统固定件，所述升降螺杆底部连接器件固定件,用来解决目前越来越多的高强度磁场应用于微波电真空器件当中，磁场产生的强大磁作用力使真空器件的调试安装愈发困难，并且伴有一定安全风险的技术问题。
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公开(公告)号：CN111883888B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010786794.4
申请日：2020-08-07
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明提供一种基于插层石墨烯的W波段可重构微带滤波器，包括金属接地板、介质基底、多个微带贴片以及多根插层石墨烯结构；其中在所述介质基底底面沉积一层所述金属接地板，多个所述贴片按阵列方式设置在所述介质基底表面，形成微带贴片阵列结构，在所述贴片阵列结构周围排列一圈所述插层石墨烯。本发明通过插层石墨烯电导率的变化，影响与贴片单元之间的耦合电容，最终改变滤波器的谐振频率和通带个数，本微带滤波器在频率范围内的变化更为灵活，解决了印刷板操作不可逆的问题，扩大了在生产实践中的应用领域。在结构上，采用阵列结构的微带耦合滤波器，可以在性能不变的前提下进一步缩小滤波器的尺寸大小。
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公开(公告)号：CN111883888A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010786794.4
申请日：2020-08-07
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明提供一种基于插层石墨烯的W波段可重构微带滤波器，包括金属接地板、介质基底、多个微带贴片以及多根插层石墨烯结构；其中在所述介质基底底面沉积一层所述金属接地板，多个所述贴片按阵列方式设置在所述介质基底表面，形成微带贴片阵列结构，在所述贴片阵列结构周围排列一圈所述插层石墨烯。本发明通过插层石墨烯电导率的变化，影响与贴片单元之间的耦合电容，最终改变滤波器的谐振频率和通带个数，本微带滤波器在频率范围内的变化更为灵活，解决了印刷板操作不可逆的问题，扩大了在生产实践中的应用领域。在结构上，采用阵列结构的微带耦合滤波器，可以在性能不变的前提下进一步缩小滤波器的尺寸大小。
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