公开(公告)号：CN1161954A

公开(公告)日：1997-10-15

申请号：CN97101869.3

申请日：1997-01-23

Applicant: 宇部兴产株式会社

Inventor： 原田胜正 ,  白井昌志 ,  古谷敏男 ,  黑田信行

IPC: C07C47/565 ,  C07C45/59

CPC classification number: C07D317/46 ,  C07C45/43 ,  C07C47/565

Abstract: 通过使胡椒基二氯与分子氯在三氯化磷、五氯化磷或硫酰氯的参与下反应来制备二氯亚胡椒基二氯并水解该二氯亚胡椒基二氯的步骤来制备原儿茶醛。胡椒基二氯可以通过使胡椒醛与亚硫酰氯在二甲基甲酰胺的参与下的反应来制备。

公开(公告)号：CN1033700C

公开(公告)日：1997-01-01

申请号：CN93103681.X

申请日：1993-03-05

Applicant: 宇部兴产株式会社

Inventor： 杉濑良二 ,  柏木公一 ,  白井昌志 ,  岛川敏弘

IPC: C07C255/09

Abstract: 通过丙烯腈二聚合以高选择性和产率制造包括1，4-二氰基丁烯、1，4-二氰基丁二烯和己二腈的直链丙烯腈二聚物，该丙烯腈的二聚合是在含至少一种钌化合物(如二氯-四(二甲亚砜)钌)的催化剂存在下和在至少一种有机酸(如丙酸)存在下，并在任意地还有碱性化合物、还原性化合物和/或亚砜化合物存在下进行的。

公开(公告)号：CN107109642A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580058152.X

申请日：2015-11-04

Applicant: 宇部兴产株式会社

Inventor： 白井昌志 ,  二瓶央

IPC: C23C16/36 ,  C23C16/42 ,  C23C16/448 ,  H01L21/318

CPC classification number: C23C8/30 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45553

Abstract: 本发明提供能够在低温下成膜金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的方法和装置。将含有通式(1)所表示的胍化合物的氮源和金属源或半金属源供给至成膜对象物上，成膜金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜。(式中，多个R可以相同或不同，分别表示氢原子、碳原子数1～5的直链状、支链状或环状的烷基、或碳原子数1～9的三烷基甲硅烷基。其中，多个R可以相互键合形成环)

公开(公告)号：CN107075675A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201680003675.9

申请日：2016-01-04

Applicant: 宇部兴产株式会社

Inventor： 白井昌志 ,  二瓶央

IPC: C23C16/36 ,  C23C16/42 ,  H01L21/318 ,  C07F7/10

CPC classification number: C23C16/36 ,  C07F7/10 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45525

Abstract: 本发明提供能够在低温下制造金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的方法。本发明的方法中，使用N‑三烷基甲硅烷基‑1,2,3‑三唑化合物和由通式(1)表示的1,2,4‑三唑化合物中的至少一者作为氮源，进行金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的成膜。(式中，R可以相同或不同，表示氢原子、碳原子数为1～5的直链状、支链状或环状的烷基、或者碳原子数为1～5的三烷基甲硅烷基。需要说明的是，2个以上的R可以相互键合形成环。)

公开(公告)号：CN106062244A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201480076925.2

申请日：2014-12-25

Applicant: 宇部兴产株式会社

Inventor： 白井昌志 ,  长谷川千寻 ,  竹林浩二 ,  吉富晋

IPC: C23C16/448 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4481

Abstract: 本发明提供一种能够长时间稳定地供给含有机金属化合物的气体的有机金属化合物的供给装置。含有机金属化合物的气体的供给装置(1)具备容器(10)、供给部(13)和高比重物。容器(10)具有内部空间(10a)、载气的导入口(10b)和排出口(10c)。导入口(10b)连接于内部空间(10a)的下部。排出口(10c)连接于内部空间(10a)的上部。供给部(13)位于内部空间(10a)。供给部(13)中配置有含有机金属化合物的颗粒与填充材料的混合物。高比重物在内部空间(10a)中配置于供给部(13)之上。高比重物的比重比含有机金属化合物的颗粒的比重高。

公开(公告)号：CN105316649A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510290742.7

申请日：2015-05-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  宇部兴产株式会社

Inventor： 清水亮 ,  宫原孝广 ,  白井昌志 ,  贞池慎一郎

IPC: C23C16/36

CPC classification number: H01L21/02167 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228

Abstract: 本发明为在被处理体的被处理面上形成SiCN膜的SiCN膜的成膜方法，其具备：向容纳有前述被处理体的处理室内供给包含Si原料的Si原料气体的工序；和在供给前述Si原料气体的工序之后，向前述处理室内供给包含氮化剂的气体的工序；作为前述氮化剂使用氮与碳的化合物。

公开(公告)号：CN1460675A

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN03131384.1

申请日：2003-05-16

Applicant: 宇部兴产株式会社

Inventor： 白井昌志 ,  古谷敏男 ,  渡部昌彦 ,  津川光正

IPC: C07C255/50

Abstract: 通过优选在－10～30℃的温度下使3，4－二羟基苯甲醛与羟胺－O－磺酸进行反应，接着在40～70℃进行反应可以高收率地制造3，4－二羟基苯甲腈。

公开(公告)号：CN105316649B

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201510290742.7

申请日：2015-05-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  宇部兴产株式会社

Inventor： 清水亮 ,  宫原孝广 ,  白井昌志 ,  贞池慎一郎

IPC: C23C16/36

CPC classification number: H01L21/02167 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228

Abstract: 本发明为在被处理体的被处理面上形成SiCN膜的SiCN膜的成膜方法，其具备：向容纳有前述被处理体的处理室内供给包含Si原料的Si原料气体的工序；和在供给前述Si原料气体的工序之后，向前述处理室内供给包含氮化剂的气体的工序；作为前述氮化剂使用氮与碳的化合物。

公开(公告)号：CN1807423A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200610006336.4

申请日：2003-12-18

Applicant: 宇部兴产株式会社

Inventor： 白井昌志 ,  吉田佳弘 ,  贞池慎一郎

IPC: C07D317/54 ,  C07D309/18 ,  C07C69/157 ,  C07C67/293

Abstract: 用下述通式(Ⅰ)表示的1－乙酰氧基－3－(取代苯基)丙烯化合物，在上式(Ⅰ)中，R1及R2各自独立地表示从氢原子及具有1～10个碳原子的烷基所构成的组中选择的一个，其中R1及R2也可以相互连接，和丙烯基的2位及3位的碳原子共同形成环状基团，A表示从下式(Ⅱ)及(Ⅲ)所表示的组中的取代苯基中选择的一个，在上式(Ⅱ)和(Ⅲ)中，R3及R4各自独立地表示具有1～4个碳原子的烷基，m表示0或1～4的整数，n表示1～5的整数，k表示1或2的整数。

公开(公告)号：CN1254466C

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN02121401.8

申请日：2002-06-19

Applicant: 宇部兴产株式会社

Inventor： 白井昌志 ,  斯波晃司 ,  古谷敏男

IPC: C07C255/53 ,  C07C253/30

CPC classification number: C07C253/30 ,  C07C255/53

Abstract: 可在药物和农用化学品的合成中用作起始化合物的3，4-二羟基苄腈通过如下方法以高收率生产，即用磺酰氯或分子氯与氯化促进剂的混合物来氯化3，4-亚甲基二氧基苄腈，得到2-氯-苯并[1，3]间二氧杂环戊烯-5-甲腈，其中所述氯化促进剂包括三氯化磷、五氯化磷、磺酰氯、亚硫酰氯和/或亚硝酰氯；将2-氯-苯并[1，3]间二氧杂环戊烯-5-甲腈与水接触使之水解制得3，4-二羟基苄腈。