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公开(公告)号：CN101322448A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200680045492.X
申请日：2006-10-13
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: H05K3/388 , H05K1/036 , H05K3/067 , H05K3/108 , H05K3/26 , H05K3/386 , H05K3/389 , H05K2201/0154 , H05K2201/0761
Abstract: 一种制备金属布线板的方法，所述金属布线板具有耐热性树脂板和层压在该板上的金属布线，并且在所述金属布线的板层压侧的表面使用选自Ni、Cr、Co、Zn、Sn和Mo中的至少一种金属或包含这些金属中的至少一种的合金(以下，被称为表面－处理金属)进行表面处理。该方法包括：在树脂板上形成金属布线的步骤；以及清洗步骤，即用能够移除表面－处理金属的蚀刻溶液至少清洗树脂板的表面，由此提高树脂板表面的粘合。由此制备的金属布线板具有与用于将IC芯片或各向异性的导电膜粘附到膜的粘合剂的优异粘合性。
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公开(公告)号：CN101322447A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200680045423.9
申请日：2006-10-13
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: H05K3/067 , H05K3/025 , H05K3/108 , H05K3/244 , H05K3/26 , H05K3/384 , H05K2201/0355 , H05K2201/0761 , H05K2203/1476 , Y10T29/49155 , Y10T29/49156
Abstract: 一种通过相减法或半－添加法，由其上具有载体的覆铜箔聚酰亚胺膜制备具有铜－布线的聚酰亚胺膜的方法。通过用蚀刻溶液清洗由于蚀刻铜箔而暴露的聚酰亚胺表面，所述蚀刻溶液能够主要移除用于铜箔的表面处理的选自Ni、Cr、Co、Zn、Sn和Mo中的至少一种金属或包含这些金属中的至少一种的合金。由于这样，当铜布线用锡电镀时，电镀组分被抑制反常沉积。
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公开(公告)号：CN109563297A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780045582.7
申请日：2017-07-25
Applicant: 宇部兴产株式会社
Abstract: 本发明提供具有大孔、且尺寸稳定性优异的多孔质聚醚砜膜及其制造方法。提供具有表面层(a)、表面层(b)、以及夹在该表面层(a)和该表面层(b)之间的大孔层的多孔质聚醚砜膜。大孔层具有与表面层(a)和(b)结合的隔壁、以及被该隔壁及表面层(a)和(b)包围的多个大孔。表面层(a)和表面层(b)具有与大孔连通的细孔。
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公开(公告)号：CN101322448B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200680045492.X
申请日：2006-10-13
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: H05K3/388 , H05K1/036 , H05K3/067 , H05K3/108 , H05K3/26 , H05K3/386 , H05K3/389 , H05K2201/0154 , H05K2201/0761
Abstract: 一种制备金属布线板的方法，所述金属布线板具有耐热性树脂板和层压在该板上的金属布线，并且在所述金属布线的板层压侧的表面使用选自Ni、Cr、Co、Zn、Sn和Mo中的至少一种金属或包含这些金属中的至少一种的合金(以下，被称为表面-处理金属)进行表面处理。该方法包括：在树脂板上形成金属布线的步骤；以及清洗步骤，即用能够移除表面-处理金属的蚀刻溶液至少清洗树脂板的表面，由此提高树脂板表面的粘合。由此制备的金属布线板具有与用于将IC芯片或各向异性的导电膜粘附到膜的粘合剂的优异粘合性。
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公开(公告)号：CN109563300B
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201780045792.6
申请日：2017-07-25
Applicant: 宇部兴产株式会社
Abstract: 本发明涉及多孔质聚酰亚胺膜的制造方法及由该方法制造的多孔质聚酰亚胺膜，该多孔质聚酰亚胺膜的制造方法包括以下工序：(1)将包含由四羧酸单元和二胺单元形成的极限粘度数为1.0～3.0的聚酰胺酸3～60质量％和有机极性溶剂40～97质量％的聚酰胺酸溶液流延成膜状，浸渍或接触在以水为必须成分的凝固溶剂中，制作聚酰胺酸的多孔质膜的工序；以及(2)对上述工序得到的聚酰胺酸的多孔质膜进行热处理而酰亚胺化的工序，其中，将热处理后的膜的纵向和横向的收缩率分别控制在8％以下，且在上述热处理中，200℃以上的温度区域的升温速度为25℃/分钟以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101322447B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200680045423.9
申请日：2006-10-13
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: H05K3/067 , H05K3/025 , H05K3/108 , H05K3/244 , H05K3/26 , H05K3/384 , H05K2201/0355 , H05K2201/0761 , H05K2203/1476 , Y10T29/49155 , Y10T29/49156
Abstract: 一种通过相减法或半-添加法，由其上具有载体的覆铜箔聚酰亚胺膜制备具有铜-布线的聚酰亚胺膜的方法。通过用蚀刻溶液清洗由于蚀刻铜箔而暴露的聚酰亚胺表面，所述蚀刻溶液能够主要移除用于铜箔的表面处理的选自Ni、Cr、Co、Zn、Sn和Mo中的至少一种金属或包含这些金属中的至少一种的合金。由于这样，当铜布线用锡电镀时，电镀组分被抑制反常沉积。
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公开(公告)号：CN101449633A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200780018779.8
申请日：2007-03-23
Applicant: 宇部兴产株式会社
Abstract: 本发明提供了一种高直线性和非常小－间距的酮布线聚酰亚胺膜。所述铜布线聚酰亚胺膜是由一种通过使用具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜(1)，由半添加法制备具有间距为20至45μm的铜布线部分的铜布线聚酰亚胺膜的方法所制备的。所述制备方法包括：(a)提供铜箔层压膜的步骤，所述铜箔层压膜包含在聚酰亚胺膜(2)的表面上的铜箔(4b)，所述铜箔(4b)具有不大于1.0μm的膜－侧表面粗糙度Rz，并且具有在0.5至2μm的范围内的厚度，(b)形成镀敷抗蚀剂图案层(17)的步骤，其中可以在所述铜箔的表面上形成间距为20至45μm的布线图案，(c)在从抗蚀剂暴露的铜箔部分上进行镀铜(10)的步骤，(d)去除的镀敷抗蚀剂的步骤，和(e)去除暴露在去除所述镀敷抗蚀剂的部分上暴露的所述铜箔以暴露聚酰亚胺膜(8)的步骤。
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公开(公告)号：CN1910041A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200580002343.0
申请日：2005-01-11
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: H05K3/38 , H05K1/0346 , H05K3/181 , H05K3/426 , H05K2201/0154 , H05K2201/0175 , Y10T428/24917 , Y10T428/31721
Abstract: 通过能在陶瓷上实现金属镀覆的湿法镀覆方法，在至少表面上陶瓷改性或者假陶瓷改性的聚酰亚胺膜上形成金属导电层而获得的聚酰亚胺－金属层压体。可获得在湿法镀覆步骤中具有满意的内聚力、甚至在高温老化处理之后维持实际可行的内聚力，并显示出满意的电绝缘可靠度的聚酰亚胺－金属层压体和聚酰亚胺电路板。
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公开(公告)号：CN109563297B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201780045582.7
申请日：2017-07-25
Applicant: 宇部兴产株式会社
Abstract: 本发明提供具有大孔、且尺寸稳定性优异的多孔质聚醚砜膜及其制造方法。提供具有表面层(a)、表面层(b)、以及夹在该表面层(a)和该表面层(b)之间的大孔层的多孔质聚醚砜膜。大孔层具有与表面层(a)和(b)结合的隔壁、以及被该隔壁及表面层(a)和(b)包围的多个大孔。表面层(a)和表面层(b)具有与大孔连通的细孔。
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公开(公告)号：CN109563300A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780045792.6
申请日：2017-07-25
Applicant: 宇部兴产株式会社
Abstract: 本发明涉及多孔质聚酰亚胺膜的制造方法及由该方法制造的多孔质聚酰亚胺膜，该多孔质聚酰亚胺膜的制造方法包括以下工序：(1)将包含由四羧酸单元和二胺单元形成的极限粘度数为1.0～3.0的聚酰胺酸3～60质量％和有机极性溶剂40～97质量％的聚酰胺酸溶液流延成膜状，浸渍或接触在以水为必须成分的凝固溶剂中，制作聚酰胺酸的多孔质膜的工序；以及(2)对上述工序得到的聚酰胺酸的多孔质膜进行热处理而酰亚胺化的工序，其中，将热处理后的膜的纵向和横向的收缩率分别控制在8％以下，且在上述热处理中，200℃以上的温度区域的升温速度为25℃/分钟以上。
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