公开(公告)号：CN110127667B

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN201910375510.X

申请日：2019-05-07

Applicant: 宁波大学

Inventor： 王婷 ,  王刚 ,  陈达 ,  李久荣 ,  顾冰丽 ,  高博 ,  王梓豪

IPC: C01B32/184 ,  C09K11/65 ,  B82Y20/00

Abstract: 本发明公开了一种可控的制备石墨烯量子点方法，包括如下步骤：制备基底，并于基底上形成光刻胶；利用光刻法或者离子曝光法使光刻胶形成注入窗口；采用离子注入法对注入窗口注入碳源；去除光刻胶；对基底进行退火，在基底表面生长出石墨烯量子点。本发明通过控制注入源的剂量和能量控制改性量子点的层数的基础上，对注入窗口尺寸调节，从而改变量子点的合成粒径尺寸，同时通过掺杂源剂量调节掺杂浓度，通过光刻实现注入窗口形状位置进行调节，使得后期合成的量子点排列方式可控，制备工艺简单，且产生废料较少，相对环境友好。若不进行掺杂，则能进行本征石墨烯量子点的制备，改变掺杂源离子，可以制备不同掺杂的石墨烯量子点。

公开(公告)号：CN109879275A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201910196254.8

申请日：2019-03-15

Applicant: 宁波大学

Inventor： 王梓豪 ,  陈达 ,  李久荣 ,  王刚 ,  顾冰丽 ,  高博

IPC: C01B32/186 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种结合锗浓缩和离子注入技术制备石墨烯的方法,包括如下步骤：提供衬底，在衬底表面沉积SiGe复合层；在SiGe复合层远离衬底的表面沉积Si层；利用离子注入法向SiGe复合层内注入碳源；在氧气环境下进行氧化加热，使得SiGe复合层变为Ge层，SiGe复合层两侧的Si层形成SiO2层，碳源则移动至SiO2层和Ge层界面处间隙，形成石墨烯；在氮气环境下进行加热，使得Ge层逐步蒸发；将SiO2层刻蚀掉，使得石墨烯外露。利用衬底和Si层，对SiGe复合层内Ge单质进行初始阶段的固定，减少初始阶段Ge的流失。

公开(公告)号：CN110127667A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910375510.X

申请日：2019-05-07

Applicant: 宁波大学

Inventor： 王婷 ,  王刚 ,  陈达 ,  李久荣 ,  顾冰丽 ,  高博 ,  王梓豪

IPC: C01B32/184 ,  C09K11/65 ,  B82Y20/00

Abstract: 本发明公开了一种可控的制备石墨烯量子点方法，包括如下步骤：制备基底，并于基底上形成光刻胶；利用光刻法或者离子曝光法使光刻胶形成注入窗口；采用离子注入法对注入窗口注入碳源；去除光刻胶；对基底进行退火，在基底表面生长出石墨烯量子点。本发明通过控制注入源的剂量和能量控制改性量子点的层数的基础上，对注入窗口尺寸调节，从而改变量子点的合成粒径尺寸，同时通过掺杂源剂量调节掺杂浓度，通过光刻实现注入窗口形状位置进行调节，使得后期合成的量子点排列方式可控，制备工艺简单，且产生废料较少，相对环境友好。若不进行掺杂，则能进行本征石墨烯量子点的制备，改变掺杂源离子，可以制备不同掺杂的石墨烯量子点。