公开(公告)号：CN111060232B

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN201911104275.9

申请日：2019-11-13

Applicant: 宁波大学

Inventor： 崔玉国 ,  任志胜 ,  娄军强 ,  杨依领 ,  谢启芳 ,  应荣辉 ,  王博文

IPC: G01L1/16

Abstract: 本发明公开了一种压电执行器输出力的自感知方法，包括用于获得压电执行器晶片表面电荷的积分器，积分器包括运算放大器和积分电容，压电执行器输出力的自感知表达式为：式中，Fest为压电执行器的自感知力，C、uout分别为积分器的积分电容、输出电压，α为电荷‑位移系数，RP为压电执行器的绝缘电阻，u为施加在压电执行器上的驱动电压，QDA为压电执行器晶片的介电吸收电荷，iBIAS为运算放大器的偏置电流。本发明无需给积分器中的反馈电容并联电阻，就能消除压电执行器中晶片的漏电阻对自感知精度的影响；并且，补偿了压电执行器中晶片的介电吸收及构成积分器的运算放大器的偏置电流，能进一步提高压电执行器输出力的自感知精度。

公开(公告)号：CN110906852A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201911104119.2

申请日：2019-11-13

Applicant: 宁波大学

Inventor： 崔玉国 ,  聂志刚 ,  马剑强 ,  杨依领 ,  王博文 ,  谢启芳 ,  应荣辉

IPC: G01B7/02 ,  G01D5/242

Abstract: 本发明公开了一种压电执行器输出位移的自感知方法，包括用于获得压电执行器晶片表面电荷的积分器，积分器包括运算放大器和积分电容，压电执行器输出位移δ的自感知表达式为：式中，δest为压电执行器的自感知位移，C、uout分别为积分器的积分电容、输出电压，α为电荷-位移系数，RP为压电执行器的绝缘电阻，u为施加在压电执行器上的驱动电压，QDA为压电执行器晶片的介电吸收电荷，iBIAS为运算放大器的偏置电流。本发明无需给积分器中的反馈电容并联电阻，就能消除压电执行器中晶片漏电阻对自感知精度的影响；并且，补偿了压电执行器中晶片的介电吸收及构成积分器的运算放大器的偏置电流，能进一步提高压电执行器输出位移的自感知精度。

公开(公告)号：CN110906852B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN201911104119.2

申请日：2019-11-13

Applicant: 宁波大学

Inventor： 崔玉国 ,  聂志刚 ,  马剑强 ,  杨依领 ,  王博文 ,  谢启芳 ,  应荣辉

IPC: G01B7/02 ,  G01D5/242

Abstract: 本发明公开了一种压电执行器输出位移的自感知方法，包括用于获得压电执行器晶片表面电荷的积分器，积分器包括运算放大器和积分电容，压电执行器输出位移δ的自感知表达式为：式中，δest为压电执行器的自感知位移，C、uout分别为积分器的积分电容、输出电压，α为电荷‑位移系数，RP为压电执行器的绝缘电阻，u为施加在压电执行器上的驱动电压，QDA为压电执行器晶片的介电吸收电荷，iBIAS为运算放大器的偏置电流。本发明无需给积分器中的反馈电容并联电阻，就能消除压电执行器中晶片漏电阻对自感知精度的影响；并且，补偿了压电执行器中晶片的介电吸收及构成积分器的运算放大器的偏置电流，能进一步提高压电执行器输出位移的自感知精度。

公开(公告)号：CN111060232A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201911104275.9

申请日：2019-11-13

Applicant: 宁波大学

Inventor： 崔玉国 ,  任志胜 ,  娄军强 ,  杨依领 ,  谢启芳 ,  应荣辉 ,  王博文

IPC: G01L1/16

Abstract: 本发明公开了一种压电执行器输出力的自感知方法，包括用于获得压电执行器晶片表面电荷的积分器，积分器包括运算放大器和积分电容，压电执行器输出力的自感知表达式为： 式中，Fest为压电执行器的自感知力，C、uout分别为积分器的积分电容、输出电压，α为电荷-位移系数，RP为压电执行器的绝缘电阻，u为施加在压电执行器上的驱动电压，QDA为压电执行器晶片的介电吸收电荷，iBIAS为运算放大器的偏置电流。本发明无需给积分器中的反馈电容并联电阻，就能消除压电执行器中晶片的漏电阻对自感知精度的影响；并且，补偿了压电执行器中晶片的介电吸收及构成积分器的运算放大器的偏置电流，能进一步提高压电执行器输出力的自感知精度。